浙江大学特聘研究员任娜：1200V SiC MOSFET抗辐射可靠性研究

视频IFWS > IFWS20222024-04-15 10:53
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1200V SiC MOSFET抗辐射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大学特聘研究员REN NaProfessor of Zhejiang University
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