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CSPSD 2024成都前瞻|大连理工大学王德君:SiC半导体表界面
缺陷
及MOS器件可靠性
高视半导体纳米级图形晶圆
缺陷
检测量产设备出口马来西亚头部客户
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4H
SiC
晶体缺陷
晶体生长
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果:6英寸碳化硅外延生长及深能级
缺陷
研究
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇:氧化镓
缺陷
研究,合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
IFWS 2023│清软微视周继乐:化合物半导体衬底和外延
缺陷
无损检测技术
南开团队在
缺陷
调控构筑新光电材料方面取得重要进展
山东大学与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错
缺陷
控制方面取得重大突破
厦门大学徐翔宇:氧化镓
缺陷
、合金化电子结构调控及日盲光电探测器研究
西安电子科技大学孙汝军:氧化镓的电子态
缺陷
研究
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学孙汝军:氧化镓的电子态
缺陷
研究
华工科技2022年营收净利双增 SiC衬底外观
缺陷
检测设备实现国产替代应用
中国科大在低维光伏材料点
缺陷
性质研究中取得新进展
重大突破!科友半导体碳化硅跻身8吋行列,晶体无
缺陷
最大直径超过204毫米
SiC工艺之质子注入
缺陷
抑制技术解决碳化硅层错难题
晶圆切割常见
缺陷
问题分析
半导体材料的点空位
缺陷
工程用于环境修复以及可持续能源生产
北大朱瑞团队与于海峰团队合作ACS Energy Letters:钙钛矿半导体的多种
缺陷
管理实现高效稳定光伏器件
北大朱瑞
于海峰
ACS
Energy
Letters
钙钛矿半导体
多种缺陷管理
光伏器件
英诺激光:目前公司产品在芯片制造领域的应用为晶圆加工
缺陷
检测、碳化硅退火等制造工序
英诺激光
芯片制造
晶圆加工
缺陷检测
碳化硅
退火等
制造工序
《自然》子刊:分子桥解决半导体
缺陷
,提高导电性及整体性能
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN:4H-SiC MOS器件中活性
缺陷
的量化表征
天津工业大学于莉媛:GaN基器件电子辐照诱生
缺陷
表征和性能分析
台积电称EUV技术让5纳米芯片不良率反低于7纳米
纳米
密度
缺陷
不良
工艺
制造工艺
仍存“
缺陷
”!英特尔7nm芯片生产时间推迟半年上市
英特尔
纳米
芯片
制程
工艺
延迟
KLA推出全新突破性的电子束
缺陷
检测系统
电子束
缺陷
系统
检测
器件
技术
ASML首款用于5nm制程的多光束检测工具问世
光束
工具
吞吐量
缺陷
计量学
检测
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