碳化硅单晶缺陷研究及产业化进展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陈秀芳山东大学教授、南砂晶圆董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

氧化镓中缺陷扩展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology

NiO/-Ga2O3p+-n异质结二极管深能级缺陷研究汪正鹏，巩贺贺，郁鑫鑫，叶建东*，顾书林，任芳芳，张荣，郑有炓南京大学

《氧化镓晶体的生长、缺陷及掺杂》作者：张辉，夏宁，刘莹莹，李成，杨德仁单位：浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学杭州国际科创中心

《宽禁带III族氮化物中点缺陷单光子发射的理论研究》作者：石芝铭，臧行，齐占斌，孙晓娟，黎大兵单位：中科院长春光学精密机械

《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波

《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体

垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。

报告简介：基于深层瞬态光谱学的Al/Ti 4H-SiC肖特基结构缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亚伟 中国科学院半导体研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences