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Science Advances:南京大学联合团队
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GeOI产业化瓶颈:散热效率提升40%、键合面积提升至95%以上!
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CSPSD 2025前瞻|新微半导体王庆宇:氮化镓赋能未来,
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华测导航:车规级产品累计交付数量已
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:磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
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