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中国科学院氮化镓基无源太赫兹相控阵机制
研究
获进展
2025年新增批次海外优青:中国科学院半导体
研究
所诚邀您申报
科研成果 | 唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄超宽禁带半导体能带结构
研究
方面取得重要进展
苏州纳米所秦华团队在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制
研究
方面取得进展
氮化镓外延层中位错辅助的电子和空穴传输
研究
取得进展
中国科学院半导体
研究
所特别
研究
助理(博士后)招聘启事
长春光机所联合东方理工大学
研究
团队在宽禁带氮化物载流子动力学
研究
方面取得重要进展
中国科学院微电子
研究
所在EUV光刻收集镜红外辐射抑制方面取得新进展
北京大学王新强、王平、王涛团队在纤锌矿氮化物铁电半导体
研究
上取得重要进展
中国科学院半导体
研究
所在低维半导体偏振光探测方面取得系列进展
【年薪可达50万】厦门大学宽禁带半导体
研究
组2025年诚聘博士后(理论计算模拟方向)
中国科学院半导体
研究
所获批“北京国际科技合作基地”
Wolfspeed与纽约州立大学理工学院加强教育
研究
合作,助力推动碳化硅技术创新发展
[诚邀英才]新加坡科技
研究
局(A*STAR)微电子
研究
所(IME)功率半导体团队
中国科大微电子学院胡诣哲教授课题组在极低抖动高速锁相环芯片
研究
中取得重要突破
国家重点研发计划“氧化镓单片功率电子集成器件
研究
”项目启动会暨实施方案论证会成功召开
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应
研究
成果
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士
研究
成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
复旦大学
研究
人员等在新型半导体表界面结构与缺陷
研究
方面取得系列进展
浙江大学团队多项碳化硅、氧化镓相关
研究
成果闪耀IEEE ISPSD 2025
台积电-东京大学实验室启用,双方联手推动半导体
研究
和教育
工业和信息化部专题
研究
部署推动人工智能产业发展和赋能新型工业化
半导体所在植入式脑机接口器件
研究
方面取得新进展
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏:氧化镓异质外延生长及材料特性
研究
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳:E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强
研究
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验
研究
CSPSD 2025前瞻|南京邮电大学南通
研究
院邀您同聚“2025功率半导体器件与集成电路会议”
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼:1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比
研究
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树:高压低阻垂直型GaN功率电子器件
研究
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学张进成:镓系半导体功率器件
研究
进展
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