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上海微系统所在硅基碳化硅异质集成XOI材料领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-09 16:54
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！
 评论 ⋅  2022-12-09 16:14
CASA发布T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
 评论 ⋅  2022-12-09 15:16
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
 评论 ⋅  2022-12-09 14:52
湖南大学半导体学院在二维半导体超薄介电层集成技术研究取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-09 12:07
补盲激光雷达，角分辨率越小越好吗？
 评论 ⋅  2022-12-09 10:46
武汉大学课题组在宽禁带半导体热表征领域发表综述文章
 评论 ⋅  2022-12-09 10:13
充足的激光雷达视场要多大？补盲激光雷达视场覆盖大揭秘！
 评论 ⋅  2022-12-09 10:08
简述第三代半导体材料和器件中的热科学和工程问题
 评论 ⋅  2022-12-08 11:51
第三方集成电路测试技术服务商利扬芯片 计划6.9亿元投建芯片测试工厂
 评论 ⋅  2022-12-08 11:09
如何优化隔离栅级驱动电路?
 评论 ⋅  2022-12-08 10:38
厦门大学宽禁带半导体研究组在半导体能谷调控方面取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-07 17:23
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
氮化镓栅极驱动专利：RC负偏压关断技术之松下篇
 评论 ⋅  2022-12-07 14:48
兰州理工大学集成电路封装与测试未来技术学院产学研协同育人平台建设项目公开招标公告
 评论 ⋅  2022-12-07 10:42
简述用于工业自动化的无刷直流电机
 评论 ⋅  2022-12-07 10:17
意法半导体与Soitec就碳化硅衬底制造技术达成合作
 评论 ⋅  2022-12-06 15:46
SiC MOSFET功率模块的各种参数电动汽车
 评论 ⋅  2022-12-05 15:58
简述光刻机制造设备
 评论 ⋅  2022-12-05 15:51
电动车直流充电基础设施如何实现快速充电？
 评论 ⋅  2022-12-05 14:25
联发科天玑 5G 芯片完成基于 R17 和 RedCap 的技术验证
 评论 ⋅  2022-12-05 09:18
喜报！博电科技荣获“北京市科学技术奖”技术发明奖二等奖
 评论 ⋅  2022-12-03 10:51
Yole：2027年激光晶圆设备和技术市场将突破11亿美元
 评论 ⋅  2022-12-01 13:47
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
 评论 ⋅  2022-12-01 11:25
GaN衬底研发获新突破！
 评论 ⋅  2022-12-01 10:25
简述微波射频电路杂波干扰问题技术分析及改进研究
 评论 ⋅  2022-11-30 14:42
MOCVD 加热片模拟仿真研究分析
 评论 ⋅  2022-11-29 13:59
华中大团队成功研发国内首款全自主计算光刻EDA软件
 评论 ⋅  2022-11-29 13:36
华中科技大学研究团队发表电动汽车电机驱动系统零转矩充电复用技术的研究成果
 评论 ⋅  2022-11-29 11:34
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