首页 > 新闻资讯 > 搜索
CSPSD 2025前瞻|南京邮电大学南通研究院邀您同聚“2025功率半导体器件与集成电路会议”
 评论 ⋅  2025-05-16 11:21
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼：1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究
 评论 ⋅  2025-05-15 15:03
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
CSPSD 2025前瞻|香港大学张宇昊：GaN和Ga2O3中的多维器件 超结、多沟道和FinFET
 评论 ⋅  2025-05-14 15:21
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学张进成:镓系半导体功率器件研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:18
CSPSD 2025前瞻|东南大学刘斯扬：功率半导体集成技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:16
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学明鑫：面向AI服务器电源的低压GaN驱动电路设计挑战
 评论 ⋅  2025-05-14 11:57
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕：基于金刚石/碳化硅新型异质散热结构的器件应用研究
 评论 ⋅  2025-05-14 11:56
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇：碳化硅功率器件空间电荷补偿技术
 评论 ⋅  2025-05-14 10:08
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻|山东大学刘超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
 评论 ⋅  2025-05-12 14:56
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学章文通：基于电荷场调制机理的高温高压车规SOI超结BCD技术
 评论 ⋅  2025-05-12 14:40
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件
 评论 ⋅  2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷：GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
 评论 ⋅  2025-05-09 10:36
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
 评论 ⋅  2025-05-08 16:26
CSPSD 2025前瞻|济南大学张春伟：场板技术中的电场调制机制：基于电荷的视角
 评论 ⋅  2025-05-08 10:43
江南大学成果推介:氮化镓微波功率器件
 评论 ⋅  2025-05-07 17:34
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
 评论 ⋅  2025-05-07 15:19
CSPSD 2025前瞻|南京大学叶建东：氧化镓异质结构与器件
 评论 ⋅  2025-05-07 15:06
CSPSD 2025前瞻|北京大学魏进：GaN功率器件动态电阻与动态阈值电压
 评论 ⋅  2025-05-07 10:04
西湖大学光电研究院仇旻当选欧洲科学院院士
 评论 ⋅  2025-05-07 10:00
CSPSD 2025前瞻|广东工业大学周贤达：功率MOSFET的非嵌位感性开关
 评论 ⋅  2025-05-06 18:33
英国南安普敦大学开设全球第二家电子束光刻工厂
 评论 ⋅  2025-05-06 10:51
CSPSD 2025前瞻| 电子科技大学乔明：用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
 评论 ⋅  2025-04-29 15:10
复旦大学先进光刻胶材料教育部工程研究中心正式成立
 评论 ⋅  2025-04-24 11:26
山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
 评论 ⋅  2025-04-18 12:02
浙江大学研制出90纳米像素尺寸LED
 评论 ⋅  2025-04-16 20:02
CSE同期活动丨华中科技大学EMBA思享会之“破与立·半导体产业展望”议程公开
 评论 ⋅  2025-04-16 10:04
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部