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新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
台积电-东京大学实验室启用，双方联手推动半导体研究和教育
 评论 ⋅  2025-06-12 14:31
中国“芯片首富”斥资300亿，宁波东方理工大学获教育部批准
 评论 ⋅  2025-06-11 16:51
天津工业大学成立集成电路学院
 评论 ⋅  2025-06-11 14:12
瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新
 评论 ⋅  2025-06-06 16:24
南方科技大学孙小卫教授当选俄罗斯科学院外籍院士
 评论 ⋅  2025-06-06 09:27
刷新纪录！郑州大学实现大尺寸高质量金刚石激光晶体批量生长
 评论 ⋅  2025-06-06 09:24
南京工业大学先进材料AM：界面诱导生长法制备高效锡基钙钛矿发光二极管
 评论 ⋅  2025-06-04 08:29
大连理工大学团队：通过提高晶体质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
 评论 ⋅  2025-05-27 16:50
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
博睿光电向重庆大学捐赠设立“博睿光电奖学金”
 评论 ⋅  2025-05-20 15:27
CSPSD 2025前瞻|南京邮电大学陈静：智能TCAD技术—AI赋能微纳电子器件的仿真、建模与设计
 评论 ⋅  2025-05-20 09:35
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳：E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究
 评论 ⋅  2025-05-19 11:02
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET关键技术新进展
 评论 ⋅  2025-05-19 10:06
CSPSD 2025前瞻|南京邮电大学南通研究院邀您同聚“2025功率半导体器件与集成电路会议”
 评论 ⋅  2025-05-16 11:21
CSPSD 2025前瞻|复旦大学刘盼：1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究
 评论 ⋅  2025-05-15 15:03
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
CSPSD 2025前瞻|香港大学张宇昊：GaN和Ga2O3中的多维器件 超结、多沟道和FinFET
 评论 ⋅  2025-05-14 15:21
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学张进成:镓系半导体功率器件研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:18
CSPSD 2025前瞻|东南大学刘斯扬：功率半导体集成技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-14 15:16
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学明鑫：面向AI服务器电源的低压GaN驱动电路设计挑战
 评论 ⋅  2025-05-14 11:57
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕：基于金刚石/碳化硅新型异质散热结构的器件应用研究
 评论 ⋅  2025-05-14 11:56
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇：碳化硅功率器件空间电荷补偿技术
 评论 ⋅  2025-05-14 10:08
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻|山东大学刘超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
 评论 ⋅  2025-05-12 14:56
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学章文通：基于电荷场调制机理的高温高压车规SOI超结BCD技术
 评论 ⋅  2025-05-12 14:40
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件
 评论 ⋅  2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷：GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
 评论 ⋅  2025-05-09 10:36
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