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大连理工大学团队：通过提高晶体质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
 评论 ⋅  2025-05-27 16:50
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳：E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究
 评论 ⋅  2025-05-19 11:02
欧洲投资银行发起“科技欧盟”项目，以增强AI、半导体竞争力
 评论 ⋅  2025-05-19 08:29
北京工业大学郭伟玲课题组联合闽都创新实验室、福州大学孙捷课题组：局域表面等离子体增强纳米柱Micro-LED发光
 评论 ⋅  2025-01-20 09:18
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
安森美将收购碳化硅JFET技术，以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合
 评论 ⋅  2024-12-10 16:47
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
Facebook开发的首款增强现实AR眼镜采用碳化硅材料，开拓元宇宙领域的新蓝海市场
 评论 ⋅  2024-09-01 17:24
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
安森美完成收购SWIR Vision Systems，增强智能感知产品组合
 评论 ⋅  2024-07-04 13:56
科技成果推介｜增强型GaN电力电子器件
 评论 ⋅  2024-06-12 16:05
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
 评论 ⋅  2024-05-31 08:21
吕坚院士团队 l 3D打印莫来石增强的碳化硅气凝胶复合材料
 评论 ⋅  2024-05-27 10:26
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇：PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术
 评论 ⋅  2024-04-19 15:02
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-08-01 14:44
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:02
新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产
 评论 ⋅  2023-05-19 17:38
十年来我国科技事业发生历史性变化 四个显著增强
 评论 ⋅  2023-05-15 14:28
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
复旦大学微电子学院成功研制新原理机器视觉增强芯片
 评论 ⋅  2022-08-05 11:26
紫外增强图像传感器的研究进展
 评论 ⋅  2022-05-13 16:21
清华大学交叉信息研究院段路明课题组实现量子存储器增强的非局域图态制备
 评论 ⋅  2022-03-01 15:45
重大突破！碳化硅量子比特刷新纪录：量子态保持超5秒，信号增强万倍
 评论 ⋅  2022-02-09 10:13
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
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