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英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市
 评论 ⋅  2025-09-05 09:17
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管
 评论 ⋅  2025-06-24 14:48
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
科技成果推介｜增强型GaN电力电子器件
 评论 ⋅  2024-06-12 16:05
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇：PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术
 评论 ⋅  2024-04-19 15:02
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-08-01 14:44
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:02
新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台成功量产
 评论 ⋅  2023-05-19 17:38
技术分享：基于氮化镓单晶衬底的增强型氮化镓HEMTs
 评论 ⋅  2022-09-15 17:03
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-18 14:00
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
新思科技宣布其节能ARC EM和ARC HS处理器IP，可支持TensorFlow Lite for Microcontrollers软件
思科处理器软件机器学习增强型
 评论 ⋅  2020-06-02 03:34
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