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湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
北京量子院徐洪起团队在半导体耦合多量子点器件研究中取得进展
 评论 ⋅  2024-11-12 16:08
氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
 评论 ⋅  2024-11-09 17:17
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
闻泰科技半导体业务与KOSTAL就先进车规级宽禁带器件达成战略合作
 评论 ⋅  2024-11-07 18:55
【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-11-07 10:01
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 09:38
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
IFWS2024：氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-30 09:55
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
 评论 ⋅  2024-10-29 14:32
一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
 评论 ⋅  2024-10-28 10:25
前沿科技 | 无需半导体材料的电子器件问世
 评论 ⋅  2024-10-24 18:34
富特科技：已实现SiC半导体器件在产品中的量产应用，且应用技术已相对成熟
 评论 ⋅  2024-10-24 09:24
华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-24 09:13
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-23 19:10
士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目预计2025年试生产
 评论 ⋅  2024-10-21 16:54
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-21 08:25
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-10-20 18:47
中车中低压功率器件产业化（宜兴）建设项目竣工投产
 评论 ⋅  2024-10-18 14:36
米家智能小家电拆解汇总：小米的元器件供应商都有哪些？
 评论 ⋅  2024-10-17 08:00
至芯半导体取得重大突破，推出高光效UV器件
 评论 ⋅  2024-10-16 09:08
Nature | 康奈尔大学：光电功能器件最新突破
 评论 ⋅  2024-10-11 16:32
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
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