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镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
碳化硅功率器件及其封装技术（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-10 15:02
专家说丨化合物半导体器件的三大方向进展
 评论 ⋅  2024-12-10 11:36
碳化硅功率器件及其封装技术发展探讨（一）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-09 11:40
哈尔滨工业大学在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-12-06 10:51
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
众专家学者探讨氮化镓射频电子器件与应用的进展与趋势 |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 15:21
康美特庞凯敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封装材料 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:15
博睿光电梁超：功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:02
北京大学沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件——IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-25 14:32
拟投资14亿！佳丽美半导体电子分立器件制造总部项目签约落户丹灶
 评论 ⋅  2024-11-25 11:30
第十七届诚邀提名 | “2024年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”重磅开启！
 评论 ⋅  2024-11-25 09:22
国宇电子功率器件项目签约扬州
 评论 ⋅  2024-11-14 17:41
国家5G中高频器件创新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-13 15:47
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
北京量子院徐洪起团队在半导体耦合多量子点器件研究中取得进展
 评论 ⋅  2024-11-12 16:08
氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
 评论 ⋅  2024-11-09 17:17
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
闻泰科技半导体业务与KOSTAL就先进车规级宽禁带器件达成战略合作
 评论 ⋅  2024-11-07 18:55
【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-11-07 10:01
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 09:38
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
IFWS2024：氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-30 09:55
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