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成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-18 20:06
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-12-17 16:04
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
上应大科研团队在光探测材料与器件领域取得重要进展！
 评论 ⋅  2024-12-13 15:34
最高记录！柔性热电器件，Science！
 评论 ⋅  2024-12-13 15:18
光谷筑芯微电子精密器件智造基地(首开区) 项目喜封金顶！
 评论 ⋅  2024-12-13 09:23
“2024年度（第十七届）华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”进入公众投票阶段
 评论 ⋅  2024-12-13 07:11
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
碳化硅功率器件及其封装技术（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-10 15:02
专家说丨化合物半导体器件的三大方向进展
 评论 ⋅  2024-12-10 11:36
碳化硅功率器件及其封装技术发展探讨（一）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-09 11:40
哈尔滨工业大学在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-12-06 10:51
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
众专家学者探讨氮化镓射频电子器件与应用的进展与趋势 |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 15:21
康美特庞凯敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封装材料 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:15
博睿光电梁超：功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:02
北京大学沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件——IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-25 14:32
拟投资14亿！佳丽美半导体电子分立器件制造总部项目签约落户丹灶
 评论 ⋅  2024-11-25 11:30
第十七届诚邀提名 | “2024年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”重磅开启！
 评论 ⋅  2024-11-25 09:22
国宇电子功率器件项目签约扬州
 评论 ⋅  2024-11-14 17:41
国家5G中高频器件创新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-13 15:47
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
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