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首批报告嘉宾公布！年度第三代半导体盛会，大咖名企11月齐聚IFWS & SSLCHINA 2024
 评论 ⋅  2024-10-01 10:48
全文征稿中！IEEE收录+EI检索！IFWS & SSLCHINA 2024 继续征文中！
 评论 ⋅  2024-09-18 20:10
征文继续！IFWS & SSLCHINA 2024 征文中，IEEE收录+EI检索，现场展示+颁奖！
 评论 ⋅  2024-08-27 09:06
Call for Papers | IFWS & SSLCHINA 2024
 评论 ⋅  2024-07-29 19:12
IFWS & SSLCHINA 2024——征文通知
 评论 ⋅  2024-07-16 09:00
定档！年度国际盛会IFWS&SSLCHINA 2024 11月苏州见！
 评论 ⋅  2024-07-05 10:32
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
IFWS 2023│国瑞升苑亚斐：碳化硅衬底材料研磨抛光耗材和工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-20 16:26
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
 评论 ⋅  2023-12-20 11:52
IFWS 2023│西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体多芯片封装技术
 评论 ⋅  2023-12-19 11:35
IFWS 2023│科友半导体赵丽丽：8英寸碳化硅衬底产业化进展
 评论 ⋅  2023-12-19 11:05
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙：大尺寸SiC单晶的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 11:52
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
IFWS 2023│晶格领域张泽盛：液相法碳化硅单晶生长技术研究
 评论 ⋅  2023-12-15 13:38
IFWS 2023│小鹏汽车杨恒：碳化硅器件在新能源车电驱动系统的应用
 评论 ⋅  2023-12-13 10:58
IFWS 2023│日本大阪大学陈传彤：SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
 评论 ⋅  2023-12-12 14:17
IFWS 2023│瞻芯电子曹峻：碳化硅车载功率转换解决方案
 评论 ⋅  2023-12-12 10:45
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS 2023│ 加拿大Crosslight首席研发专家Ahmed NASHED：基于半导体激光器件的高级光学建模与仿真
 评论 ⋅  2023-12-11 15:24
IFWS 2023│博睿光电梁超：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-12-11 11:02
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
 评论 ⋅  2023-12-08 14:32
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│南京大学修向前：基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-07 15:51
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
IFWS 2023│六方氮化硼研究进展
 评论 ⋅  2023-12-06 11:20
IFWS 2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例
 评论 ⋅  2023-12-05 17:20
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