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CASA立项《碳化硅单晶
生长
用等静压石墨》标准
实验室成功
生长
出8英寸碳化硅单晶、2024年度科研资金超百亿元
天岳先进:持续进行碳化硅单晶基础研究以提高晶体
生长
效率和质量
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体
生长
系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
北京大学教授于彤军:大尺寸AlN单晶
生长
研究
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延
生长
晶盛机电:公司碳化硅
生长
设备为自研自用
晶盛机电
碳化硅
生长
IFWS 2023│晶格领域张泽盛:液相法碳化硅单晶
生长
技术研究
IFWS 2023│Yuri MAKAROV:利用碳化钽的坩埚中物理气相传输
生长
SiC和AlN晶体
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果:6英寸碳化硅外延
生长
及深能级缺陷研究
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟:助熔剂法
生长
GaN单晶衬底的研究进展
IFWS 2023│氮化物衬底、外延
生长
及其相关设备技术分会召开
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠:利用沟槽结构
生长
高效率InGaN红光
IFWS 2023前瞻│碳化硅衬底、外延材料
生长
与加工分会日程出炉
IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延
生长
及其相关设备技术分会日程出炉
南京邮电大学张茂林:氧化镓材料
生长
与阵列探测器研究
天通股份:公司已掌握800公斤级C向蓝宝石晶体的
生长
技术
晶盛机电:公司成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延
生长
设备
CASICON西安站前瞻|西安交通大学陈冉升:六方氮化硼薄膜
生长
及hBN/BAlN异质结构电学特性的研究
晶升股份拟1亿元投建半导体晶体
生长
设备生产及实验项目
国际领先!新一代SIC晶体
生长
用材料
恒普科技
IFWS:碳化硅衬底材料
生长
与加工及外延技术前沿研究
现场火爆!IFWS:氮化物衬底材料
生长
与外延技术论坛召开
开年重要碳化硅半导体论坛!直击碳化硅衬底材料
生长
与加工及外延技术前沿进展
山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶
生长
炉采购废标公告
山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶
生长
炉采购竞争性磋商公告
IFWS 前瞻:氮化物衬底材料
生长
与外延技术分会日程出炉
赛微电子已具备6-8英寸GaN外延材料
生长
能力 正在推动山东GaN产线建设
晶盛机电已成功
生长
出8英寸碳化硅晶体,并建设6英寸碳化硅晶体研发实验线
晶盛机电:已成功
生长
出8英寸碳化硅晶体
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