SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠:利用沟槽结构生长高效率InGaN红光

日期:2023-11-27 阅读:413
核心提示:2023年11月27-30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心召开。

2023年11月27-30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

27日,“Mini/Micro-LED及其他新型显示技术分会”如期举行,本届分会得到了三安光电股份有限公司、纳微朗科技(深圳)有限公司、 中微半导体设备(上海)股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、广东晶科电子股份有限公司、深圳市大族半导体装备科技有限公司 的协办支持。

陈志忠

会上,北京大学教授陈志忠带来了“利用沟槽结构生长高效率InGaN红光”的主题报告,分享了沟槽结构的调制与高In含量InGaN的生长、沟槽结构对MQW发光的影响、沟槽的微观结构与发射特性等研究进展与成果。

研究创新性地利用沟槽缺陷来提高红色InGaN LED的发光效率。XRD RSM结果表明,由于沟槽缺陷的应变弛豫效应,波长红移归因于In成分的增加。高光谱CL成像和共焦PL结果表明,发光增强源于沟槽缺陷内部的强发射。特别是在低注入时,沟槽内的红色MQW是发射的主要贡献者。沟槽内比沟槽外更强的发光主要归因于屏蔽效应、较弱的极化电场和较低的缺陷密度。总的来说,这项研究提供了对沟槽缺陷的新认识,并探索了实现高效红色InGaN LED的新途径。

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)

打赏
联系客服 投诉反馈  顶部