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新镓能半导体
氮化
镓项目落户无锡惠山
冠鼎半导体1.055亿元新建
氮化
镓项目
氮化
镓名企BelGaN宣告破产,潜在竞购者报价1.3亿欧元
香港首个第三代半导体
氮化
镓外延工艺研发中心将成立
香港将建设首条第三代半导体
氮化
镓晶圆生产线 目标2027年产能1万片
清华大学功率半导体用
氮化
硅基板烧结装备研制项目签约湖南企业
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线,具有8英寸硅晶圆和
氮化
镓晶圆加工能力
英诺赛科“含有硅掺杂
氮化
铝层的半导体器件及其制造方法”专利获授权
鼎龙股份:多晶硅抛光液及
氮化
硅抛光液产品获千万元级批量订单
三安半导体“
氮化
镓功率器件的制备方法、
氮化
镓功率器件”专利公布
北京大学申请金刚石基
氮化
物半导体异质结构制备方法专利,能够得到高质量且低热阻的金刚石基
氮化
物半导体异质结构
三安光电突破
氮化
镓芯片产业化难题
CASICON晶体大会平行论坛2:追踪
氮化
镓、超宽禁带晶体及其应用进展
CASICON晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所张逸韵:异质集成
氮化
镓微腔激光器及光电器件研究
CASICON晶体大会前瞻 |中国科学院半导体研究所刘志强:
氮化
物位错演化及控制研究
总投资10亿元,
氮化
硅材料项目签约落地浙江桐乡
CASICON晶体大会前瞻 |西安交通大学李强:六方
氮化
硼薄膜制备及器件应用
CASICON晶体大会前瞻|深圳大学刘新科:低成本垂直
氮化
镓功率器件
莱特光电申请含
氮化
合物及有机电致发光器件和电子装置专利
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳:一种新型
氮化
镓基发光高电子迁移率晶体管
CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大学罗小蓉:《
氮化
镓功率器件结构、驱动和电源应用
CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大学刘雯:用于功率转换系统的
氮化
镓单片集成
CSPSD 2024成都前瞻 |中国科学院微电子研究所蒋其梦:
氮化
镓功率器件开关安全工作区的研究
CSPSD 2024成都前瞻|北京工业大学张亚民:面向
氮化
镓微波功率器件的异质界面温升表征方法
年产3000万片
氮化
硅基板等产品项目签约浙江嘉兴 总投资约52亿元
大连理工大学“
氮化
镓气体传感器及其制备方法、应用”专利公布
北京大学申请大尺寸高热导率III族
氮化
物外延材料的制备方法专利,提高整个异质集成结构的热导率
东微半导申请
氮化
镓器件及其制造方法专利,提供一种
氮化
镓器件
中瓷电子:博威公司致力于为全球通信设备供应商提供
氮化
镓通信射频集成电路产品和服务
氮化
镓的新变局 垂直整合成为重要目标
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