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2025云南晶体大会前瞻| 富加镓业陈端阳：氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展
 评论 ⋅  2025-09-12 11:37
2025云南晶体大会前瞻|西安电子科技大学陶鸿昌：氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管（SBD）势垒均匀性研究
 评论 ⋅  2025-09-11 11:48
镓仁半导体8英寸氧化镓衬底质量检测结果揭晓，国际领先！
 评论 ⋅  2025-09-05 09:24
总投资16.8亿元，氧化镓高频滤波器芯片生产项目主体建筑封顶！
 评论 ⋅  2025-07-23 09:40
镓仁半导体实现晶圆级6英寸斜切氧化镓衬底制备
 评论 ⋅  2025-06-25 09:52
国家重点研发计划“氧化镓单片功率电子集成器件研究”项目启动会暨实施方案论证会成功召开
 评论 ⋅  2025-06-20 09:34
浙江大学团队多项碳化硅、氧化镓相关研究成果闪耀IEEE ISPSD 2025
 评论 ⋅  2025-06-16 09:34
广州拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产
 评论 ⋅  2025-05-28 09:41
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
镓仁半导体与德国NextGO.Epi携手，推动氧化镓应用
 评论 ⋅  2025-05-16 16:51
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学徐光伟：基于掺杂调控和缺陷工程的氧化镓功率器件研究
 评论 ⋅  2025-05-14 10:51
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻|南京大学叶建东：氧化镓异质结构与器件
 评论 ⋅  2025-05-07 15:06
【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世｜杭州镓仁邀您SEMICON见证半导体产业新突破
 评论 ⋅  2025-03-25 11:26
镓仁半导体董事长张辉：大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展 | CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-04 16:48
CASICON重庆站：全面聚焦氮化镓、氧化镓、金刚石功率半导体技术及应用发展
 评论 ⋅  2025-02-28 17:39
一批半导体项目签约衢州 涉及氧化镓、氮化铝单晶衬底等
 评论 ⋅  2025-02-07 16:51
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2025-01-09 17:12
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
张道华院士：超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究
 评论 ⋅  2024-12-06 15:12
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2024-10-27 22:32
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
镓仁半导体推出氧化镓专用长晶设备
 评论 ⋅  2024-09-23 15:22
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底
 评论 ⋅  2024-09-12 10:48
新突破︱镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
 评论 ⋅  2024-07-16 10:54
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破
 评论 ⋅  2024-06-04 10:25
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料外延和深紫外探测应用领域研究取得重要进展
 评论 ⋅  2024-04-18 16:08
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