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捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET
器件
及其制造方法专利,降低了开关损耗
粤芯半导体“一种半导体
器件
中的互连金属的沉积方法”专利获授权
电动工具研讨会展商阵容揭晓,您的元
器件
选型指南!
粤芯半导体“一种半导体
器件
中的互连金属的沉积方法”专利获授权
华羿微电“新型功率MOSFET
器件
及其制备方法”专利获授权
华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET
器件
及其制作方法”专利获授权
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率
器件
外延设计结构专利,降低功率
器件
制造成本
芯联集成“沟槽型功率
器件
结构及其制造方法”专利公布
长飞先进与怀柔实验室签署碳化硅功率
器件
成果合作转化意向协议
中晶科技:已在国内分立
器件
用单晶硅棒、研磨硅片以及半导体功率芯片及
器件
领域占据领先的市场地位
华润微:重庆12吋产线聚焦功率
器件
预计下半年可实现满产
英飞凌144亿工厂落成,8英寸碳化硅
器件
年底量产
派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET
器件
及制备方法”专利获授权
总投资超4亿元,百事联电子元
器件
产品建设项目在厦门海沧开工
总投资90亿元,莱宝高科湖州微腔电子纸显示
器件
项目开工
芯联集成“半导体
器件
的制备方法及半导体
器件
”专利获授权
致元
器件
采购商们的一封信
北科大与新紫光共同开展二维半导体材料与
器件
产学研合作
高可靠性高功率半导体
器件
IDM项目在宜兴签约 总投资约30亿元
总投资约30亿!宜兴又签约一项功率半导体
器件
项目
英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体
器件
及其制造方法”专利获授权
中芯集成-U 申请 MEMS
器件
及其制备方法专利,避免大量自由电荷堆积在振膜中
CASAS SiC功率
器件
与模块工作组第二次会议成功召开
芯聚能“碳化硅MOSFET
器件
及其制备方法”专利公布
清纯半导体“半导体功率
器件
及其制备方法”专利公布
芯聚能“碳化硅MOSFET
器件
及其制备方法”专利公布
三安半导体“氮化镓功率
器件
的制备方法、氮化镓功率
器件
”专利公布
中车中低压功率
器件
产业化(株洲)项目桩基建设启动 总投资52.9亿元
北一半导体功率
器件
项目在江苏盐城开工 总投资10亿元
内江高新区智能绿色电子元
器件
生产项目建成投产
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