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富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
IFWS2024：氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-30 09:55
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
 评论 ⋅  2024-10-29 14:32
一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
 评论 ⋅  2024-10-28 10:25
富特科技：已实现SiC半导体器件在产品中的量产应用，且应用技术已相对成熟
 评论 ⋅  2024-10-24 09:24
华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-24 09:13
士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目预计2025年试生产
 评论 ⋅  2024-10-21 16:54
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-10-20 18:47
中车中低压功率器件产业化（宜兴）建设项目竣工投产
 评论 ⋅  2024-10-18 14:36
米家智能小家电拆解汇总：小米的元器件供应商都有哪些？
 评论 ⋅  2024-10-17 08:00
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
汉道精密制造年产1.8亿件半导体元器件项目开工奠基
 评论 ⋅  2024-10-09 14:07
忱芯科技申请碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:45
【南昌光电博览会】聚焦半导体光电装备、材料、器件及工艺发展
 评论 ⋅  2024-09-27 17:06
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利，避免出现第一氧化层过薄
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
元器件采购商不想被坑？认准这一招！
 评论 ⋅  2024-09-18 07:31
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
2024南昌光电博览会前瞻：半导体光电装备、材料、器件及工艺
 评论 ⋅  2024-09-12 16:11
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
 评论 ⋅  2024-09-11 14:17
扬杰科技申请一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法的专利
 评论 ⋅  2024-09-05 13:58
华羿微电取得一种宽 SOA 屏蔽栅 MOSFET 器件及制备方法专利，提升器件整体的 SOA
 评论 ⋅  2024-09-03 11:03
美国ITC对特定半导体器件及其下游产品启动337调查
 评论 ⋅  2024-09-02 17:10
总投资50亿，半导体激光雷达及传感器件产业化项目开工！
 评论 ⋅  2024-09-02 14:40
日本航空电子高端电子元器件项目签约无锡
 评论 ⋅  2024-08-29 16:10
河北博威集成电路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-26 15:36
积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-21 16:08
欣代半导体器件东宝智造产业园项目签约
 评论 ⋅  2024-08-16 18:37
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