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新型手性有机半导体面世
西电郝跃院士团队常晶晶教授等人在柔性钙钛矿太阳能电池机械稳定性和光电转换效率方面取得新进展
长春光机所实现100 fJ/bit超低功耗高速垂直腔面发射激光器
长春光机所优化并制备出高亮度HiBBEE非均匀波导半导体激光器
实现技术突破!我国成功研制出这一光子芯片
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
哈工大宋清海、陈怡沐教授团队研发新型手性光电材料为电致圆偏振光源提供新思路
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法
中国科学院半导体所等在层状半导体材料的拉曼散射理论和实验方面取得重要进展
半导体所等在层状半导体材料的拉曼散射理论和实验方面取得重要进展
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶,开启第四代半导体氧化镓新时代
南京再迎半导体领域重磅盛会!6月20日启幕,共话半导体产业机遇与挑战
研制成功!我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要进展
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新进展
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要进展
北京大学王剑威、龚旗煌课题组在连续变量光量子芯片领域取得重大突破
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展
黄维院士团队在柔性聚合物发光二极管应变稳定性方面取得重要进展
南开大学研发光学焦平面阵列堆叠芯片,实现毫米波高速成像
KAUST实现千伏级蓝宝石衬底AlN肖特基二极管
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.:用于超高分辨率micro-LED显示器的远程外延晶体钙钛矿
Nature Review EE:第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
KAUST AM论文:Ga2O3 晶相异质结
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