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中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型
氮化镓
光电二极管
北京大学申请p沟道
氮化镓
异质结晶体管及其制备方法专利,实现电流密度的增加
中国科学院微电子所在厚膜
氮化镓
与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型
氮化镓
PN结实现双通道加密光通信应用
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合
氮化镓
和碳化硅二者优点的实验晶体管!
北大团队研发超低动态电阻
氮化镓
高压器件,耐压能力大于6500V
北
超低动态电阻
氮化镓
高压器件
耐压
6500V
金刚石基板上的GaN晶体管,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
太原理工大学和武汉大学在金刚石/
氮化镓
薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
苏州纳米所在新型
氮化镓
基光电器件领域取得进展
中科院微电子所:在硅基
氮化镓
横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
南科大化梦媛团队揭示与
氮化镓
晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
MXene范德华接触在
氮化镓
高电子迁移率晶体管中的应用
南科大电子系化梦媛团队揭示与
氮化镓
晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
简述
氮化镓
的合成制备及展望
简述
氮化镓
晶格排列氧化
氮化镓
纳米层的形成及其在电子器件中的应用
氮化镓
栅极驱动专利:RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
硅基
氮化镓
Micro-LED,实现高速可见光通信信号探测
氮化镓
栅极驱动专利:RC负偏压关断技术之松下篇
长平时代发布用于车载电子的900V硅基
氮化镓
外延片
技术分享:基于
氮化镓
单晶衬底的增强型
氮化镓
HEMTs
研究人员利用
氮化镓
开发新型电子设备
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP:利用电子通道衬度成像方法分析
氮化镓
异质结中的穿透位错和失配位错
中科院微电子研究所在
氮化镓
—金刚石异质集成方面取得新进展
中科院微电子所在
氮化镓
—金刚石异质集成方面取得新进展
中科院苏州纳米所团队在石墨烯调控的
氮化镓
远程外延机理研究获新进展
氮化镓
晶体管和碳化硅MOSFET
南科大马俊在新型多沟道
氮化镓
电力电子器件领域取得进展
玻璃衬底上首次“异质外延”出准单晶
氮化镓
薄膜
玻璃衬底
异质外延
准单晶
氮化镓
薄膜
33W GaN快充“杀”出江湖 国内
氮化镓
IDM企业加速布局
苏州纳米所孙钱团队研制出一种新型
氮化镓
半导体激光器
苏州纳米所
孙钱
研制
新型氮化镓
半导体
激光器
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