首页 > 新闻资讯 > 搜索
北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
 评论 ⋅  2025-08-04 08:12
Science Advances：南京大学联合团队突破外延衬底限制，实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长
 评论 ⋅  2025-07-30 12:11
科研成果 | 唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄超宽禁带半导体能带结构研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-07-28 15:09
半导体所在低维半导体偏振光探测方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-07-17 09:55
西电集成电路学部联合武汉大学在宽禁带半导体材料领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-07-17 09:33
北京大学王新强、王平、王涛团队在纤锌矿氮化物铁电半导体研究上取得重要进展
 评论 ⋅  2025-07-10 08:59
武大、西电合作攻克范德华外延氮化镓高质量成核与生长难题，为跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成扫清了关键障碍
 评论 ⋅  2025-07-08 17:34
中国科学院半导体研究所在低维半导体偏振光探测方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-07-08 11:01
中国科学院半导体所集体导模共振手性激光器研发取得进展
 评论 ⋅  2025-07-02 15:36
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果
 评论 ⋅  2025-06-18 11:35
复旦大学研究人员等在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-06-16 10:17
新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
连科半导体8吋/12吋SiC电阻炉及工艺成套技术取得突破
 评论 ⋅  2025-04-29 20:10
中国科学院半导体所在二维阵列激光器方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-25 13:59
山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
 评论 ⋅  2025-04-18 12:02
全球首发！复旦团队研制二维半导体芯片“无极”
 评论 ⋅  2025-04-03 09:21
日本Rapidus拟7月完成2纳米制程工艺半导体试产
 评论 ⋅  2025-04-02 17:42
宁波材料所在超宽禁带半导体基日盲紫外探测领域取得系列进展
 评论 ⋅  2025-03-25 19:16
浙大团队最新《Science》：半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应
 评论 ⋅  2025-03-18 16:42
新型手性有机半导体面世
 评论 ⋅  2025-03-18 10:59
长春光机所优化并制备出高亮度HiBBEE非均匀波导半导体激光器
 评论 ⋅  2025-03-14 08:27
中国科学院半导体所等在层状半导体材料的拉曼散射理论和实验方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-03-11 14:03
半导体所等在层状半导体材料的拉曼散射理论和实验方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-03-11 11:58
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶，开启第四代半导体氧化镓新时代
 评论 ⋅  2025-03-05 16:44
南京再迎半导体领域重磅盛会！6月20日启幕，共话半导体产业机遇与挑战
 评论 ⋅  2025-03-05 08:09
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
 评论 ⋅  2025-02-26 11:01
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
 评论 ⋅  2025-02-05 10:42
Nature Review EE：第三代半导体和电力电子是实现碳中和的关键路径
 评论 ⋅  2025-01-23 08:30
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件研究成果
 评论 ⋅  2025-01-20 09:32
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部