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中镓半导体
刘强:面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
CASICON西安站前瞻|
中镓半导体
将参加2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
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:挑战最高GaN体电阻率,开发更高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底
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刘强:2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长
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