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北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体
功率
器件重要技术进展
中科院微电子所黄森、刘新宇团队在GaN外延位错传导载流子及其导致
功率
电子器件可靠性退化机制方面取得重要进展
南京大学团队在国际
功率
半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓
功率
器件辐照效应研究成果
科研成果| 硅基金刚石热沉在GaN
功率
放大器中的应用
浙江大学电气工程学院PEDL团队五项重要成果在
功率
器件顶级会议ISPSD发表
新成果!深圳大学在宽禁带半导体
功率
器件领域取得突破性进展
集成电路学院
功率
集成技术实验室第9次斩获IEEE ISPSD 发表论文数全球第一
九峰山实验室推氧化镓科研级
功率
单管及coupon to wafer流片平台
西电张进成教授等在金刚石高压
功率
器件领域取得重要进展
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大
功率
AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN
功率
晶体管研究方向取得重要进展
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的
功率
器件
中国首款高压抗辐射碳化硅
功率
器件研制成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅
功率
器件研制成功并验证
南京邮电大学研究团队在用于低
功率
光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测器取得进展
北京大学团队在GaN基
功率
电子器件研究上取得系列重要进展
北大集成电路学院研究团队在GaN基
功率
电子器件研究上取得系列重要进展
南京大学在宇航用抗辐照GaN
功率
器件方面取得新进展
脉冲模式下输出
功率
超15 W的氮化镓蓝光激光器
西湖大学工学院仇旻团队研究进展 | 4H-SiC超透镜:抑制高
功率
激光辐照的热漂移效应
厦门大学与三安光电关于大
功率
激光器寿命研究取得新进展
英飞凌推出全球最薄硅
功率
晶圆,突破技术极限并提高能效
睿创微纳在微波
功率
放大器研究中取得重要进展
从三种充电方式,解锁不同
功率
电动汽车充电桩设计方案全攻略
中国科大微电子学院在GaN
功率
电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
北京大学王新强教授团队:推动高
功率
UVC-LED晶圆进入低成本4英寸时代!
英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓
功率
半导体技术,推动行业变革
基本半导体铜烧结技术在碳化硅
功率
模块中的应用
北京大学在GaN
功率
器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
808nm高
功率
半导体激光芯片取得重大突破
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