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九峰山实验室推氧化镓科研级
功率
单管及coupon to wafer流片平台
西电张进成教授等在金刚石高压
功率
器件领域取得重要进展
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大
功率
AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN
功率
晶体管研究方向取得重要进展
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的
功率
器件
中国首款高压抗辐射碳化硅
功率
器件研制成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅
功率
器件研制成功并验证
南京邮电大学研究团队在用于低
功率
光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测器取得进展
北京大学团队在GaN基
功率
电子器件研究上取得系列重要进展
北大集成电路学院研究团队在GaN基
功率
电子器件研究上取得系列重要进展
南京大学在宇航用抗辐照GaN
功率
器件方面取得新进展
脉冲模式下输出
功率
超15 W的氮化镓蓝光激光器
西湖大学工学院仇旻团队研究进展 | 4H-SiC超透镜:抑制高
功率
激光辐照的热漂移效应
厦门大学与三安光电关于大
功率
激光器寿命研究取得新进展
英飞凌推出全球最薄硅
功率
晶圆,突破技术极限并提高能效
睿创微纳在微波
功率
放大器研究中取得重要进展
从三种充电方式,解锁不同
功率
电动汽车充电桩设计方案全攻略
中国科大微电子学院在GaN
功率
电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
北京大学王新强教授团队:推动高
功率
UVC-LED晶圆进入低成本4英寸时代!
英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓
功率
半导体技术,推动行业变革
基本半导体铜烧结技术在碳化硅
功率
模块中的应用
北京大学在GaN
功率
器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
808nm高
功率
半导体激光芯片取得重大突破
复旦大学芯片院在高速低EMI
功率
集成电路设计领域取得重要进展
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,显著提升器件的光输出
功率
半导体所研制出室温连续
功率
4.6W的GaN基大
功率
紫外激光器
日本初创公司开发
功率
半导体生产新材料 成本降低75%
上海光机所在高重频高
功率
超快激光器研究取得进展
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大
功率
高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导损耗
功率
器件方面取得重大进展
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