SiC基电力电子及射频芯片技术以其高功率密度、高效率和可靠性，成为未来电子设备的重要发展方向，特别是在高压、高频和高温环境下表现出色，适用于多种高要求的应用场景。近日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）在苏州召开。
期间“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，北京国联万众半导体科技有限公司研发总监王川宝做了“SiC基电力电子及射频芯片技术发展研究”的主题报告，分享了SiC基GaN射频器件、SiC电力电子器件等的研究进展与成果。
王川宝
北京国联万众半导体科技有限公司研发总监
GaN 民用射频芯片主要应用场景涉及GaN大功率器件100-500W系列，GaN功率器件与模块40-80W系列，GaN毫米波芯片（26G、28G、39G）等，4G/5G通讯、5G-A应用则涉及反无人机、通讯干扰、射频医美等，GaN全流程自主可控涉及清晰的技术演化，高可靠性，
SiC功率器件研发和生产主要涉及芯片加工、封装测试、功能模块环节。报告显示，国联万众的6英寸SiC功率芯片研发生产线，净化面积超过4000㎡，6英寸SiC产品2019年开始批量供货，SBD发货大于5000万只，MOS发货大于2000万只。国联万众的SiC 电力电子器件具有低比导通电阻、阈值电压一致性、短路耐量、成本等方面具有核心优势。
嘉宾简介：王川宝，2012年获得北京航空航天大学材料学学位，后就职于中国电子科技集团公司第十三研究所，射频器件领域专家。目前就职北京国联万众半导体科技有限公司，任技术总监。从事氮化镓、碳化硅等化合物器件工艺开发和器件研发工作。负责5G基站用GaN功率管研发及推广，期间解决多个影响GaN功率管长期可靠性的本质问题，配合用户实现GaN产品的研发和量产应用，产品性能指标和可靠性处于业内领先水平。获得国家级奖励一项，省部级奖励一项，授权专利四项。
公司简介：北京国联万众半导体科技有限公司成立于2015年，是中国电科产业基础研究院下属上市公司“中瓷电子：003031”的全资公司，是国家第三代半导体创新技术中心(北京)主要建设和运营主体单位。公司主营业务为第三代半导体芯片设计、生产与销售，以及第三代半导体封装、模块、科技服务等业务。主导产品氮化镓(GaN)射频功放芯片技术水平达到国际领先，已得到国际主流通信公司大规模应用；碳化硅(SiC) SBD和MOSFET电力电子芯片及模块技术水平达到国内领先，已得到国内主流新能源汽车、充电桩企业大规模应用。
（根据现场资料整理，仅供参考）
