纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度

日期:2024-06-11 阅读:270
核心提示:纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最

 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装,专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。 

G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化,与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比,硬开关品质因数(FOMs)提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源(PSUs)的功率增加到10kW,每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。 

G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发,既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能,还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能,可使器件的外壳温度降低高达25°C,比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。

 

“沟槽辅助平面栅”技术vs平面栅与沟槽栅 (图片来源:纳微芯球)

“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小,在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中,搭载这一技术的碳化硅MOSFETs,与竞争对手相比,RDS(ON)降低高达20%。 

此外,所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高,且短路耐受时间延长30%,以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制,因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。

纳微半导体最新发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计,基于CRPS185外形尺寸,其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs,用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe™氮化镓功率芯片一起,让这款电源实现了138 W/inch³的功率密度和超过97%的峰值效率,轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。 

针对电动汽车市场,纳微半导体基于1200V/34mΩ(型号:G3F34MT12K)的G3F FETs,打造了一款22kW、800V双向车载充电机(OBC)+ 3kW DC-DC转换器的应用,能够实现3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。

 纳微半导体碳化硅技术和运营高级副总裁Sid Sundaresan博士表示,“凭借着可靠性和高功率高压系统下的鲁棒性,G3F GeneSiC MOSFETs为碳化硅性能标定了高效、可低温运行的新基准。 G3F碳化硅MOSFETs的开关频率高达600 kHz,硬开关品质因数比竞争对手高出40%。纳微正在不断拓展碳化硅的性能边界。”

(来源:纳微芯球)

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