碳化硅MOSFET得益于其高压、高温、高频等方面的突出优势，在电动汽车、光伏系统和新型电源等领域逐渐得到广泛的应用。由于SiC/SiO2系统陷阱密度高，碳化硅MOSFET阈值电压长期稳定性不足。正栅压应力下，阈值正漂；负栅压应力下，阈值负漂。实际开关工况中，栅压正负交替，曾被认为正负漂移部分相互抵消。然而，最新研究表明，动态栅极应力下诱导的阈值漂移量可远超恒定栅压，是累计开关次数的函数，而非简单的正负静态漂移叠加。这表明开关事件本身触发了新的物理机制。其次，由于制造差异，并联器件阈值分散性漂移将导致均流恶化，这可能是Tesla Model 3召回事故诱因之一。
4 月26-28日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”将于成都召开。期间，重庆大学研究员蒋华平受邀将出席会议，并做《碳化硅MOSFET动态阈值漂移》的主题报告。将揭示碳化硅MOSFET漂移规律及其背后的物理机理，并提出相应的解决方法。
蒋华平，重庆大学“百人计划”特聘研究员，博士生导师。专注于碳化硅功率半导体芯片、封装、测试以及应用技术研究与开发10余年。发表学术论文共计70余篇，其中期刊论文40余篇、会议论文30余篇。中国发明专利40余项，其中已授权14项，英国发明专利2项。牵头制定第三代半导体联盟团体标准1项，参与制定美国JEDEC标准1项。最早于国际顶级期刊IEEE Electron Device Letter上报道碳化硅MOSFET动态阈值漂移问题。提出的局域电场增强理论，以及系列学术论文，被德国Infineon引用，作为JEDEC JEP195标准的制定依据。牵头制定第三代半导体联盟标准“碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法”。
会议信息
“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）是在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，极智半导体产业网联合电子薄膜与集成器件国家重点实验室、成都信息工程大学、电子科技大学集成电路研究中心、第三代半导体产业于2024年4月26-28日共同主办”，论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
会议时间：2024年4月26-28日
会议地点：四川·成都·成都金韵酒店六层
组织机构：
指导单位：
电子科技大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
电子薄膜与集成器件全国重点实验室
成都信息工程大学
电子科技大学集成电路研究中心
极智半导体产业网（www.casmita.com）
第三代半导体产业
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：
成都氮矽科技有限公司
程序委员会：
大会主席：张波
程序委员会主席：罗小蓉
副主席：赵璐冰 周琦
程序委员会：邓小川 龙世兵 王来利 明鑫 杨树 刘斯扬 郭清 魏进 金锐 周春华 刘成 蒋其梦 高巍 包琦龙 潘岭峰 叶怀宇 刘雯 张召富 李虞锋 魏杰等
二、主题方向
主题方向：
1.硅基功率器件与集成技术
高压硅基功率器件（>200 V）、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、低压硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件
2.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3.碳化硅、氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4.模组与封装技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
5.功率集成电路设计
功率集成IC设计、宽禁带功率器件驱动IC、功率集成电路测试技术、功率集成工艺平台与制造技术
6.面向功率器件及集成电路的核心材料及装备
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入、封装、检测及测试设备等
三、会议日程（拟定）
时间：2024年4月26-28日
地点：成都金韵酒店六楼 四川省成都市金牛区金府路668号
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时间 |
主要安排 |
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4月26日 |
注册 报到 |
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4月27日 |
09:00-17:00 |
报到&资料领取 |
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13:30-17:30 |
开幕大会及主旨报告 |
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18:00-21:00 |
欢迎晚宴 |
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4月28日 |
08:30-12:00 |
分论坛1：高压功率与集成（TBD） |
分论坛2：器件仿真设计与制造（TBD） |
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12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分论坛3：低压功率与集成（TBD） |
分论坛4：模块封装及应用（TBD） |
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18:30-20:30 |
晚餐&结束 |
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4月29日 |
08:30-12:00 |
商务考察活动&返程 |
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备注：仅供参考，以现场为准。 |
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拟参与单位：
电子科技大学、成都信息工程大学、中芯国际、三安半导体、浙江大学、中国科学技术大学、东南大学、西安电子科技大学、西安交通大学、清华大学、西安理工大学、山东天岳、科友半导体、国星光电、ULVAC、华虹半导体、斯达半导体、蓉矽半导体、阳光电源、扬杰科技、英飞凌、北京大学、厦门大学、中科院半导体所、南京大学、中科院微电子所、长飞半导体、华为、海思半导体、锴威特、基本半导体、中电科四十六所、中电科五十五所、天津大学、华大九天、西门子、博世、三环集团、中科院微电子所、中镓半导体、日立、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、国家电网、华大半导体、意法半导体、中博芯、西安爱科赛博 、小鹏汽车、复旦大学、东莞天域、比亚迪半导体、西安西驰电气、理想汽车、英诺赛科、士兰微、芯迈半导体、中国科学院电工所、立昂微电子、长川科技、众硅电子、莱普科技、海威华芯、麦科信、安徽大学、云镓半导体、高芯（河南）半导体……
活动参与：
注册费2800元，4月18日前注册报名2500元（含会议资料袋，27日欢迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。
2、缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+成都，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
③现场缴费（接受现金和刷卡）
报告及论文投稿联系：
贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
参会及商务合作：
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
协议酒店：
酒店名称：成都金韵酒店（成都金府路668号）
联系人 何经理 13548180263，2569807009@qq.com
协议价格：400 元/每晚（含早）
