芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接

日期:2024-04-12 阅读:386
核心提示:据芯能半导体官方消息,4月11日,芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接仪式在合肥安巢经开区举行。据悉,本次交接项

 据芯能半导体官方消息,4月11日,芯能半导体合肥高端功率模块封装制造基地厂房交接仪式在合肥安巢经开区举行。据悉,本次交接项目为一栋三层半结构,约13000m²

早在2023年5月,芯能半导体就与合肥市政府签署项目合作协议,将在合肥安巢经开区建设10条IGBT、5条SiC MOS自动化生产线,产品应用于新能源汽车、太阳能和家电等行业。

据透露,签约项目采用先进工艺,专注于大功率模块封测,项目整体建成达产后,预计可实现年产480万只IGBT模块和60万只SiC MOS模块,年营收约15亿元。

芯能半导体成立于2013年9月,是一家聚焦IGBT芯片、高压栅极驱动芯片以及智能功率模块的研发、生产、应用和销售的国家高新技术企业和国家“专精特新”小巨人企业,目前已量产国际第七代(MPT技术)IGBT,第六代IGBT芯片国内出货量领先。

芯能半导体总部位于深圳,除了合肥落地的模块封测项目外,在布局方面,芯能半导体在浙江义乌建有大功率车规级功率模块制造基地,深圳、上海、苏州设有研发中心,并在深圳、上海、杭州等地建立了销售办事处。

融资方面,2023年6月,芯能半导体完成C++轮投资,本轮由国电投、中信建投资本、杭广熠熠和正弦电气共同参与。

此外,2022年5月消息,小米产投部独家参与了芯能半导体的C+轮融资,投资金额近亿元,融资资金将主要用于加强研发投入,尤其是新能源和新能源汽车类产品的开发。

产品方面,芯能半导体去年7月发布了IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品。该产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片。

作为紧凑的1200V等级封装,这款SiC MOSFET IPM使用简便,针对SiC定制优化驱动部分,有效减小开关振荡。此外,它采用紧凑式封装,得益于使用具备很高热导率的DBC基板,具有良好热性能和充足的电气隔离等级能力,具有出色的功率密度、可靠性和性能。基于该产品,芯能联合芯能的IDH推出基于这颗IPM的汽车空调的参考应用方案。

此外,今年4月,芯能半导体也新推出一款1200V 600A C2模块,该模块采用芯能自主研发的基于MPT工艺的IGBT芯片以及发射极控制技术的FRD芯片,封装兼容62mm。该产品具有超低的饱和压降、超低开关损耗的特点,内置全电流正温度系数续流二极管,利于多并联使用,主要应用在光伏、储能、电机控制器等领域。

该C2模块由芯能半导体自建的自动化封装制造专线生产,可以实现模块的常温、高温动静态测试筛选,以及器件参数的分档,满足模块并联使用和高可靠性的要求。

据透露,芯能半导体的专门生产C2模块的专线,全制程、全工序生产作业配备有先进的工艺自动化上下料系统, 以实现高效的生产和一致的产品质量。

来源:芯能半导体、NE时代半导体

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