2024年4月9-11日，一年一度化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将于武汉光谷科技会展中心举办。 山东力冠微电子装备有限公司作为参展商，将携新品亮相本届盛会，分享在装备技术方面的新突破及新进展。并邀您相聚博览会，莅临2T32号展台参观交流、洽谈合作。
本届CSE博览会由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办，以“聚势赋能 共赴未来”为主题将汇集全球顶尖的化合物半导体制造技术专家、行业领袖和创新者，以及从芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料和设备到核心部件领域企业参展。CSE作为2024年首场国际化合物半导体产业博览会得到了多方力量的大力支持，三大主题展区，六大领域，将集中展示各链条关键环节的新技术、新产品、新服务，将打造化合物半导体领域的标杆性展会。助力打造全球化合物半导体平台、技术、产业的灯塔级盛会，集中展示化合物半导体上下游全产业链产品，搭建企业发布年度新产品新技术的首选平台，支撑产业链及中部地区建设具有全球影响力的万亿级光电子信息产业集群。
力冠微成立于2013年，国家高新技术企业，经十年的发展，已成为国内领先的半导体工艺装备制造商。主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与专业化的技术服务。公司产品被广泛服务于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS、等新型电子器件制造领域，致力于半导体装备产业的振兴与发展。
产品介绍
1.HVPE单晶生长设备（立式/卧式）
用于氮化镓（GaN）单晶生长,以及氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）、磷化铟（InP）外延生长
产品特点：
·基础工艺包
1.氮化镓（GaN）单晶生长尺寸：2英寸
2.单晶生长速率：≥50微米/小时
3.蓝宝石村底外延生长氮化镓（GaN）单晶层厚度：＜200微米
·衬底：2/4/6英寸
·数量：1片/多片
·立式/卧式结构合理可靠，满足客户多种尺寸衬底，多种操作方式需要
·控温精度高，温区稳定性好
·完美可靠的安全保护功能：硬件保护+软件互锁
2.PVT晶体生长设备
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）单晶生长
产品特点：
·提供两种工艺包
①外形包：产出6英寸碳化硅（SiC）单晶，外形不开裂
②工艺包：晶型4H
电阻率：0.015~0.025ohm·cm
直径：150.25±0.25mm
厚度：≥10（Figure 2）mm
微管密度：≤3ea/cm²
·温度最高可达2400℃
·加热方式：感应、电阻
·衬底尺寸：4/6/8英寸
3.晶体提拉设备
直拉法晶体生长专用设备，可实现在高压、真空和保护气氛下直拉生长晶体。采用自动称重结构，在保证晶体品质的前提下实现了直拉晶体的自动生长过程。应用于氧化镓单晶生长，SiC单晶、激光单晶等生长。
产品特点：
·高精度的传感器和控制软件
·自动控制晶体外形
·最高温度：2400℃
·晶体尺寸：2-8英寸
值此之际，我们诚邀业界同仁共聚本届盛会，莅临展位现场参观交流、洽谈合作。
关于JFSC&CSE 2024
