2024年4月9-11日，一年一度化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将在武汉光谷科技会展中心举办。作为国内碳化硅单晶衬底代表型企业，北京天科合达半导体股份有限公司将携多款产品亮相博览会，并分享碳化硅衬底技术及产品发展趋势。诚邀业界同仁莅临2T27号展台参观、交流合作。
本届“JFSC＆CSE”由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办，以“聚势赋能 共赴未来”为主题，汇集全球顶尖的化合物半导体制造技术专家、行业领袖和创新者，采用“示范展示+前沿论坛+技术与商贸交流”的形式，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，助力企业高效、强力拓展目标客户资源，加速驱动中国化合物半导体产业链的完善和升级。
北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，总部位于北京，是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业之一，也是国内碳化硅单晶衬底领域生产规模较大、产品种类较全的碳化硅衬底供应商，并于2021 年被工信部认定为专精特新“小巨人”企业。
产品介绍
1、8英寸导电型衬底：
8 英寸碳化硅衬底因其有效利用面积与 6 英寸相比提高接近 90%，外延和晶圆制造成本增加不明显，且制程较 6 英寸更为先进等因素，可有效降低单个器件成本，在未来具有广阔的增长空间。天科合达目前已掌握高质量 8 英寸导电型碳化硅衬底制备的关键技术。目前取得的部分技术成果如下：
●低微管密度控制技术；
●低位错密度控制技术；
●电阻率均匀性控制技术；
2、8英寸导电型外延片：
天科合达目前已掌握量产碳化硅SBD和MOSFET器件用高质量碳化硅外延片的关键技术，包括掺杂浓度及厚度均匀性、缺陷、表面粗糙度、应力及翘曲度等关键指标控制技术。公司拥有高均匀性和低缺陷密度的中高压碳化硅外延片和复杂结构外延片的制造能力，现已在深圳天科布局规模化外延生产线，获得的技术成果如下：
●小于1e14 cm-3的低本征浓度控制技术；
●小于2%的厚度均匀性控制技术；
●小于5%的浓度均匀性控制技术；
●低的位错控制技术， BPD转化效率达到99%以上 ；
●低的表面缺陷控制技术，表面缺陷密度小于0.2个/cm2。
值此之际，我们诚邀业界同仁共聚本届盛会，莅临展位现场参观交流、洽谈合作。
