封顶大吉!三安半导体,碳化硅衬底项目B1栋

日期:2024-02-02 阅读:505
核心提示:从湖南六建华西公司官微获悉:2024年1月23日,华西公司三安半导体碳化硅衬底项目B1栋顺利封顶!此项目总体分为两个项目标段,总

从湖南六建华西公司官微获悉:2024年1月23日,华西公司三安半导体碳化硅衬底项目B1栋顺利封顶!

此项目总体分为两个项目标段,总面积约5.8万㎡,合同工期仅为8个月,项目于2023年11月15日正式进场施工。

重庆三安半导体碳化硅衬底项目(生活服务设施区)总建筑面积:2.08万㎡,建筑最高高度:26.20米,B1、B2栋6层框架结构,B3栋为7层框架结构,B4栋6层框剪结构。

安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目(生活服务设施区)总建筑面积:3.7万㎡,建筑最高高度41.10米,A1、A2栋6层框架结构,A3、A4栋12层框剪结构,C1栋3层框架结构。

据悉,该项目业主方为“三安意法半导体(重庆)有限公司”,是我国芯片行业第一个8英寸衬底项目,不仅是建投六建进驻三安光电公司的首个项目,也是闯进重庆市高新区市场的首个项目。一方面为深入挖掘三安光电公司体系内的其他项目奠定基础,也为拓展其他同类型项目提供了借鉴;另一方面为进一步打开重庆市高新区市场树立了品牌,有助于进一步提升公司的市场竞争力。

项目建成后将成为重庆市半导体行业发展的新标杆、新名片,进一步推动中国半导体产业的发展。

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