9月26日，晶盛机电（300316）消息称，旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发与100%国产化。此举标志着公司在全球SiC衬底技术上已由“并跑”迈向“领跑”，进入高效智造新阶段。
据介绍，SiC作为第三代半导体材料的核心代表，具备耐高压、高频、高效等特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网和5G通信等领域，并逐渐在AR设备、先进封装等新兴应用场景中发挥关键作用。相较8英寸产品，12英寸SiC衬底单片晶圆产出量提升约2.5倍，可显著降低长晶、加工和抛光等环节的单位成本，被视为推动下游应用降本增效的重要路径。
晶盛机电方面表示，此次贯通的中试线覆盖晶体加工、切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗及检测全流程工艺，所有环节均采用国产设备与自主技术。其中，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心设备均由公司多年研发攻关完成，性能指标达到行业领先水平。至此，晶盛机电已形成12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环，彻底解决了关键装备“卡脖子”风险，为下游产业提供了新的成本与效率基准。
