IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大学教授陈敬:面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术

日期:2023-11-29 阅读:440
核心提示:2023年11月28日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心盛大开幕。

氮化镓集成技术是将多个GaN器件、电路或功能整合到同一芯片上的技术,有助于提高电子器件的性能、降低系统成本、减小尺寸,并增强系统的可靠性。涉及到混合集成、三维集成、系统级封装、数字/模拟混合集成等。GaN集成技术的发展有助于推动GaN器件在多个领域的应用,包括通信、电源管理、雷达系统等。通过整合不同功能,设计更紧凑、更高性能的电子系统,GaN集成技术将继续在半导体领域发挥重要作用。

 2023年11月28日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛为期4天,由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

陈敬教授

开幕大会上,香港科技大学教授陈敬带来了“面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术”的主题报告。功率半导体加速电气化,GaN有更高的功率密度和更高的效率。报告中分享了高/低端开关的单片集成、当前GaN半桥解决方案、p-GaN栅极HEMT的可靠性问题,异构WBG(H-WBG)电源设备,常关GaN/SiC-HyFET的关键技术,硅上GaN射频功率放大器(PA),射频微波功率放大器模块技术,硅上GaN E型p-GaN栅极RF HEMT,用于超宽温度范围(X-WTR)电子器件的GaN等技术内容。

 

具有良好控制的均匀性和再现性的既定制造工艺,在低于6GHz时衬底损耗得到很好的抑制适用于低于6GHz应用的射频性能。无线终端中更高的电池供电电压可能给GaN-on-Si E-mode RF-HEMTs带来机会。比GaAs HBT更容易实现高击穿电压。

 

报告指出,GaN HEMT功率器件的平面特性为各种应用提供了丰富的机会,GaN电力电子,电源集成和可靠性问题至关重要,必须加以解决。硅上GaN RF-HEMT,经济高效,适用于大容量移动终端,无线网络。

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)

 

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