IFWS&SSLCHINA2023│中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授张荣:宽禁带半导体的几个基础问题

日期:2023-11-29 阅读:438
核心提示:宽禁带半导体技术快速崛起,未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之

 宽禁带半导体技术快速崛起,未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之一,我国高度重视,在“中国制造2025”、2035中长期科技规划、十四五计划中,均将宽禁带半导体列为重点方向。“十四五”将重点解决能用好用及可持续创新能力的问题,全产业链整体竞争力不强,核心材料和关键装备是卡脖子瓶颈。

2023年11月28日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛为期4天,由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

张荣院士

开幕大会上,中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授张荣分享了“宽禁带半导体的几个基础问题”的主题报告。我国技术水平持续提升,市场保持高速增长。2022年我国宽禁带半导体产值6892亿元(其中半导体照明6750亿元,功率电子和微波射频两个领域总产值141.7亿元,  较2021年增长11.7%。SiC、GaN功率电子产值规模达74.3亿元,同比增长28.33%。GaN射频电子产值67.4亿元,较上年持平)。

光电子与微电子深度融合,有望实现跨界创新应用引领。微波射频关键指标基本与国际同步,并已规模化生产。功率电子材料和器件研发基本与国际同步,GaN功率器件迈向更广的应用领域,更全电压等级,从当前100V/650V拓展到30V~1200V,可靠性升级实现从消费到工业、车规的跨越。超宽禁带半导体布局加速,超大的禁带宽度、高击穿电场强度,在更高耐压更低导通电阻的微波大功率电子器件、日盲探测等深紫外光电器件、高能粒子探测器等领域具有重要应用价值。

报告指出,宽禁带半导体技术在不断发展,大注入、高场条件下器件物理;单光子源与单光子探测;自旋注入与极化光;极化调控与铁电特性等基础问题仍需要关注。其中,单光子源和单光子探测器是量子信息技术的关键器件。室温自旋LED中电子电荷、自旋及光子偏振得以集成,从而在半导体自旋电子器件中极具潜力。纤锌矿结构氮化物半导体具有强自发极化和强压电极化,氮化物半导体是极具潜力的铁电半导体材料。

报告认为,物理学、材料科学、量子科学及微纳加工技术不断发展,为半导体信息器件提供了新的发展维度,衍生出基于新原理的颠覆性器件,满足在信息科学前沿领域的创新性应用。

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)

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