CASICON 2023深圳前瞻 |大连理工大学王德君教授:碳化硅栅氧技术及未来挑战

日期:2023-09-27 来源:半导体产业网阅读:856
核心提示:大连理工大学王德君教授将受邀出席2023化合物半导体器件与封装技术论坛,并分享《碳化硅栅氧技术及未来挑战》主题演讲。

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2023化合物半导体器件与封装技术论坛将于10月12-13日在深圳·国际会展中心(宝安新馆)·  3号馆·封测剧院召开。届时,大连理工大学王德君教授将受邀出席论坛,并分享《碳化硅栅氧技术及未来挑战》主题演讲。

封装是功率半导体产业链中不可或缺的一环,主要起着安放、固定、密封、保护芯片,以及确保电路性能和热性能等作用。采用合理的封装结构、合适的封装材料,以及先进的封装工艺技术,可以获得良好的散热性能,确保高电压、大电流的功率器件的正常使用,并能在工作环境下稳定可靠地工作。此外,封装对于功率器件乃至整个系统的小型化、高度集成化及多功能化起着关键的作用。为了提高功率半导体器件的性能,必然会对封装提出更高的要求。

栅氧技术是碳化硅MOSFET器件的核心关键技术,它与器件的可靠性密切相关。大连理工大学在SiC器件领域经二十余年技术积累,率先解决了栅氧缺陷分析和缺陷物理参数分离难题,形成了SiC MOS器件栅氧可靠性分析测试技术成套解决方案;并开发了SiC MOS器件栅氧化新技术等诸多成果,为服务器件制造产业提供了强有力的支撑。届时,王德君教授将出席论坛并将在《碳化硅栅氧技术及未来挑战》主题报告中,详细介绍高温栅氧技术及未来挑战,以及先进栅氧化技术及未来挑战,内容涉及缺陷理论、测试分析、制造技术及装备等。

王德君

王德君,大连理工大学教授,研究方向涉及三代半导体SiC电子器件制造测试技术及装备; SiC半导体缺陷物理学;集成电路技术。技术领域涉及SiC MOS器件栅氧可靠性分析测试技术;SiC MOS器件栅氧可靠性制造技术及装备;SiC半导体表面干法清洗技术及装备。

目前论坛详细日程安排已经出炉,欲知会议详情详见下文:

会议主题:共享机遇  直面 “挑战

会议时间:20231012-13

会议地点:深圳·国际会展中心(宝安新馆)·  3号馆·封测剧院

主办单位:

中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会

励展博览集团

极智半导体产业网

第三代半导体产业

承办单位:

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

协办单位:

江苏博睿光电股份有限公司

ULVAC株式会社

托托科技(苏州)有限公司

拟与会单位:

苏州锴威特、英诺赛科、基本半导体、泰科天润、PI、长飞光纤、日月光、安靠、长电科技、瞻芯电子,华天、纳维科技、苏州晶湛、百识电子、三安集成、通富微、大族激光、紫光、力成科技、矽品、中微、上海微电子、阳光电源、北方华创、南京大学、复旦大学、中科院苏州纳米所、江苏三代半研究院、东南大学、国星光电、京元电子、联合科技、甬矽电子、无锡华润安盛、颀邦、晶方半导体、紫光、环旭、苏州固锝、ARM、Cadence、士兰微、Mentor、Synopsys、Silicon Image、Ceva、eMemory、comsol、ansys、abaqus、Ansys 、富士康、华光光电、伟创力、捷普电子、和 硕、广达上海、贝莱胜电子、恒诺微电子、华泰电子、环旭、TDG、中电科、杭州长川科技、ASM、海思、K&S、Disco、苏州艾科瑞思、泰瑞达、科利登Xcerra、美国国家仪器NI、Chroma、北京华峰测控、精测电子、TRI、Hilevel、KingTiger、TEV、TELCO、是德科技、罗德施瓦茨、铼微半导体、利之达、老鹰半导体,米格实验室,国星半导体,南方电网,国家电网,深圳大学,北大深圳研究院,南方科技大学、西安电子科技大学、华为和比亚迪等

会议日程(拟):

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 注册参会:参会费1500,含会议午餐,茶歇(前50名报名参会者,免收注册费!!!)

在线报名

活动行10月深圳化合物半导体论坛

(前50名报名参会者,免收注册费!!!)

联系人:

贾先生(Frank)18310277858

张女士 (Vivian )13681329411

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