复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所（以下简称“宽禁带所”）由复旦大学宁波研究院联合复旦大学工程与应用技术研究院共同组建，聚焦SiC功率半导体材料缺陷表征、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，以市场需求为导向，技术创新研发为动力，高端人才培养为支撑，采用政府引导、高校支撑、企业联合研发、全产业链协同的政产学研相结合的模式，重点突破SiC材料与器件关键共性技术及先进制造工艺，联合上下游建立虚拟IDM模式，为宁波SiC优势产业集群的形成提供强有力支撑。
宽禁带所建设总投入约4.6亿元，主要用于器件工艺研发与中试线、先进封装研发线、测试及可靠性平台的设备采购、能力建设和日常运营管理等。接下来将按照国家级和省级重点实验室标准，加快建设面向前瞻研究与成果转化、具备国际领先水平的碳化硅半导体材料与器件高水平研发平台，力争成为国家级碳化硅半导体技术研发中心，打造宁波“碳化硅谷”。
招聘需求
一、研究员/副研究员
应聘要求：
1）博士研究生学历，省市级人才项目获得者优先；
2）有宽禁带半导体相关项目研发、管理或领导经验，有高水平论文、成果转化、技术转移和产业化经历，其中有高校及领先头部企业工作经验者优先，有省市级平台管理经验者优先；
3）具有技术研发、产品开发、项目申请、专利申请的相关经验，具有相关团队管理经验，具备较强沟通能力和团队协作能力。
二、青年研究员/青年副研究员
应聘要求：
1）博士研究生学历；
2）拥有半导体相关项目研发及管理经验，可独立完成项目申请和技术研发的相关工作，有国家/省市/横向科研项目的主持领导经验，已发表过高水平论文者优先；
3）品德优秀、敬业爱岗，具有良好的团队领导能力和协作精神。
薪酬及福利待遇
1、薪酬面议，整体参照国内一流科研机构水平及国内一线高技术企业水平；
2、开放的高校科研、人才、项目资源，强大的自有研发平台及创新载体支撑；
3、广阔的职业发展空间和晋升通道，完善的绩效奖励机制；
4、高标准缴纳五险一金（含补充商业险）；
5、双休工作制，提供员工宿舍、带薪年假、健康体检等；
6、享受当地政府人才政策，协助高层次人才申报住房补贴、解决子女入学等问题。
应聘程序
应聘者请将个人简历发送至邮箱hr-rifun@fudannb.com，邮件主题请注明 “应聘岗位-姓名”。
我单位承诺对应聘者提交的所有材料严格保密。应聘者须对提供的所有材料的真实性负责。
联系人：杨老师
电话：0574-82350319（如有不明事宜，可电话咨询）
所长寄语
张清纯
复旦大学特聘教授
复旦大学宁波研究院宽禁带所所长
宽禁带半导体即第三代半导体（SiC和GaN）是支撑新能源汽车、高速列车、能源互联网、新一代移动通信等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，契合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，被列为国家科技创新2030重大项目“重点新材料研发及应用”重要方向之一。我国在第三代半导体应用领域有战略优势，有机会实现核心技术突破和产业战略引领，在国际竞争中抢占先机，重塑全球新兴半导体产业格局。
碳化硅(SiC)作为新兴的第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率等优异性能，是第三代半导体的主要方向，成为继以Si、Ge等材料为主的第一代半导体以及GaAs、InP等化合物材料为主的第二代半导体后的又一重要突破，已在光电子、功率、微波等方向得到广泛应用。
我的职业生涯亲历了SiC半导体材料从萌芽到产业化，见证了SiC器件从小众到主流的整个历程，积极参与和推动了SiC半导体技术的发展。技术进步没有止境，SiC半导体材料和器件的不断迭代仍需要从根本上研究解决诸如材料生长与缺陷形成机制、MOS沟道迁移率、器件及系统可靠性等重大基础科学问题，亟需发展创新关键技术、形成自主知识产权，为SiC半导体产业的快速发展、技术升级提供有力支撑和保障。
热忱欢迎有志于从事第三代半导体领域科技研发和成果转化事业的青年才俊加入研究院团队，共同推动宽禁带半导体技术发展！
（来源：复旦大学宁波研究院）
