瞻芯电子第二代SiC MOSFET首款产品通过车规级认证,正式开启量产交付

日期:2023-08-22 阅读:405
核心提示:据悉,近日,瞻芯电子官微表示,其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线,开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品,其中IV2Q12040T4Z (1200
据悉,近日,瞻芯电子官微表示,其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线,开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品,其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书,而且通过了新能源行业头部企业的导入测试,正式开启量产交付。
 
据介绍,瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V,可提升应用兼容性,简化应用系统设计。在产品结构上,第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET,但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降低约25%,并显著降低开关损耗,提升系统效率。
 
同时,第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性,在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。
 
据了解,瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET,耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V,导通电阻覆盖14mΩ-50Ω,并且大都采用车规级标准设计。
 
据官方介绍,瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发SiC功率器件、驱动和控制芯片、SiC功率模块产品,并围绕SiC应用,为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。
 
官方资料显示,瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,并建成了一座车规级SiC晶圆厂,标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型,进入中国领先SiC功率半导体公司行列。 
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