随着电力电子应用领域的不断扩大和需求的增长，绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）作为功率电子器件的核心之一，是能源变换与传输的核心器件，被业界誉为电力电子行业中的“CPU”，在能源转换、工业控制、交通运输、可再生能源等领域中得到了广泛应用，发展越发受到关注。随着本土IGBT产品性能已经逐渐成熟，且部分产品性能可对标海外IGBT大厂产品，加速国产化IGBT产品市场渗透，逐步切入高端市场。
为推动IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用，由半导体产业网、第三代半导体产业、中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团联合主办，2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛将于7月20日-21日在NEPCON China 2023 电子展(第三十一届国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间，在上海世博展览馆举办。
复旦大学研究员雷光寅受邀将出席论坛，并带来《碳化硅功率器件现状及发展趋势》的主题报告。报告将简要介绍碳化硅功率半导体的发展历程，包括器件结构和关键参数在过去二十年的演进过程。报告也将对国内先进水品进行简要的介绍。
欲知详细最新研究进展与数据成果，敬请关注论坛，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。
雷光寅博士，复旦大学研究员、复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长、清纯半导体（宁波）有限公司首席科学家。2010年至2018年于美国福特汽车公司任研发工程师，负责混动汽车电机控制器硬件开发；2018年至2020年于上海蔚来汽车有限公司任电动力工程技术专家，负责基于碳化硅功率半导体的新能源汽车电驱动系统前瞻项目。长期从事功率半导体模块封装及新能源汽车电驱动系统开发，研究领域集中在新型封装材料开发；功率模块封装设计、工艺开发、可靠性及失效分析；混动及纯电驱动系统开发等。发表高水平学术期刊论文30余篇，其中高引数量17篇；作为第一或合作发明人，至今共取得超过40项美国及中国发明专利。研究成果曾获得有着科技界“奥斯卡”奖之称的美国科学技术创新奖（R&D 100，2007年度）和2021年中国国际高新技术成果交易会优秀产品奖等奖项。
论坛信息
时间：7月20日-21日
地点：上海世博展览馆·NEPCON论坛区
主办单位：
半导体产业网、第三代半导体产业
中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会
励展博览集团
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
报告议题（拟）：
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国产IGBT技术进展及市场现状 |
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碳化硅肖特基二级管技术 |
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IGBT模块封装技术 |
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助力集成商打造半导体行业智能物流解决方案 |
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高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整 |
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单双面银烧结技术在功率模块封装中的应用 |
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第三代半导体功率器件封装技术现状及挑战 |
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IGBT的真空焊接技术 |
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超高压碳化硅功率器件 |
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碳化硅离子注入技术 |
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第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现 |
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IGBT芯片设计 |
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车规级IGBT 与 碳化硅IGBT 技术趋势 |
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基于SiC功率芯片的高功率密度电驱系统 |
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SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计 |
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车规级氮化镓功率器件技术 |
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用于功率器的关键设备技术/等离子去胶设备技术 |
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IGBT模块散热及可靠性研究 |
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碳化硅芯片设计 |
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