随着近年逐步开始商业化和产业化，功率半导体行业已经迎来了新的发展赛道，并逐步形成与行业应用紧密相关的新发展趋势。尤其是IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用。据统计，全球IGBT市场规模从2015年的约150亿美元增长到2021年的近220亿美元。IGBT产业链逐渐完善，包括IGBT芯片设计与制造、封装测试、模块组装等环节。各个环节的企业积极开展研发合作和技术创新，推动整个产业链的协同发展。
为推动IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用，由半导体产业网、第三代半导体产业、中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团联合主办，2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛将于7月20日-21日在NEPCON China 2023 电子展(第三十一届国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间，在上海世博展览馆举办。
中国电子科技集团公司第五十五研究所副主任设计师李赟受邀将出席论坛，并带来《适用于万伏级IGBT器件研制的4H-SiC外延材料生长技术》的主题报告，分享最新研究成果与技术进展。
欲知详细最新研究进展与数据成果，敬请关注论坛，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。
李赟，博士，正高级工程师。主要从事SiC材料外延工作。先后承担或参与“863"、“973”、“核高基”和重点研发计划等重大科研项目，突破大尺寸低缺陷SiC外延关键技术，建立外延工艺平台，实现SiC外延材料自主保障供应。基于自主研发的材料, 实现SiC MOSFET系列产品批产；研制了国内首个20kV n沟道IGBT芯片研制成功。发表科技论文8篇(第一作者)，授权发明专利15项(第一发明人)，其中2项PCT专利分别获欧盟及韩国授权。牵头编制行业标准2项(已发布)。获得国防科技进步奖1次，电子学会技术发明奖1次。
论坛信息
时间：7月20日-21日
地点：上海世博展览馆·NEPCON论坛区
主办单位：
半导体产业网、第三代半导体产业
中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会
励展博览集团
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
报告议题（拟）：
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国产IGBT技术进展及市场现状 |
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碳化硅肖特基二级管技术 |
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IGBT模块封装技术 |
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助力集成商打造半导体行业智能物流解决方案 |
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高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整 |
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单双面银烧结技术在功率模块封装中的应用 |
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第三代半导体功率器件封装技术现状及挑战 |
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IGBT的真空焊接技术 |
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超高压碳化硅功率器件 |
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碳化硅离子注入技术 |
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第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现 |
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IGBT芯片设计 |
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车规级IGBT 与 碳化硅IGBT 技术趋势 |
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基于SiC功率芯片的高功率密度电驱系统 |
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SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计 |
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车规级氮化镓功率器件技术 |
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用于功率器的关键设备技术/等离子去胶设备技术 |
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IGBT模块散热及可靠性研究 |
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碳化硅芯片设计 |
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