国产射频前端芯片 5G L-PAMiD 芯片实现零的突破

日期:2023-05-18 阅读:585
核心提示:唯捷创芯 L-PAMiD 芯片的量产即意味着国产射频前端芯片 5G L-PAMiD 芯片实现了零的突破。

近日获悉,国内射频前端芯片设计公司唯捷创芯和昂瑞微开发的 L-PAMiD 芯片已进入量产阶段,并通过多家品牌客户的验证,预计 2023 年能够实现大规模量产出货。

对于 WiFi FEM 进展,唯捷创芯称,公司主流产品为 Wi-Fi 6 和 Wi-Fi 6E,主要应用在手机和路由器之中,目前已实现大规模量产出货;同时,今年会推出 WiFi 7 产品,目前已在客户端送样和推广。

自从 2019 年进入 5G 时代,智能手机等终端在通信频率、频段数量、频道带宽、载波聚合等方面对射频前端器件提出了更高的要求。在通信制式升级趋势下,智能手机射频前端朝模组化方向发展。5G 射频前端模组,主要包括 L-PAMiD、L-PAMiF、L-FEM、LNA BANK、MMMB、TxM 等。

目前,国外巨头思佳讯、高通、博通、QORVO 等公司早在 2021 年前就量产了 5G L-PAMiD 模组,而国内厂商目前已大规模量产了 L-PAMiF、L-FEM、LNA BANK、MMMB、TxM 等 5G 射频前端模组,5G L-PAMiD 却迟迟未有国内厂商量产出货。

此次,唯捷创芯 L-PAMiD 芯片的量产即意味着国产射频前端芯片 5G L-PAMiD 芯片实现了零的突破。

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