化合物半导体是指以SiC、GaN、GaAs为代表的的宽禁带半导体材料，主要应用于高压、高温、高频场景。随着应用场景不断增加，对于化合物半导体的需求越来越大，化合物半导体发展迅速，因此，其芯片产能及制造能力就显得极为重要。SiC零部件是化合物半导体芯片制造过程中必不可少的高频耗材，也是唯一接触晶圆片的零部件，并对芯片性能、制造成本及产能具有重要的影响。
2023年5月5-7日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”将于长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所联合组织筹办。
本次论坛上，湖南德智新材料有限公司副总经理、首席技术官余盛杰将出席论坛并带来《半导体设备用SiC零部件开发及应用》的主题报告，将重点分享化合物半导体设备用SiC零部件性能要求及其对芯片制造的影响，分享德智新材开发的SiC零部件在化合物半导体芯片制造中应用情况，同时展望未来SiC零部件的发展方向。
德智新材也诚挚欢迎各研究院所、高校、产业链企事业单位参与讨论。
嘉宾简介
余盛杰，10年+新材料领域科研、产品开发及管理经验，师从国内SiC资深博导陈照峰教授，南京航空航天大学材料学博士，湖南德智新材料有限公司创始人之一，现任副总经理，湖南省2020年产业项目建设引进100个科技创新人才，湖南省株洲市“双创人才”。主要从事CVD SiC薄膜、SiC纳米线、C/SiC及SiC/SiC复合材料等领域的研究，发表SCI等论文20余篇，其中SCI收录16篇，EI论文1篇，在SiC涂层领域具有扎实的研究基础及丰富的技术开发及产业化经验。
关于德智新材
湖南德智新材料有限公司是一家专注于半导体用SiC涂层石墨耗材研发、生产和销售的国家级高新技术企业。公司拥有先进自主的装备技术和一支高度专业的技术研发团队，具备石墨纯化、精密加工、精密检测、CVD涂层等完整的生产链，在SiC涂层石墨工件设计、加工及CVD工艺等方面具有核心专利技术和竞争优势。目前，德智新材已开发碳化硅外延设备用组件、氮化镓外延设备用组件、大硅片外延设备用组件、刻蚀环、晶舟等一系列半导体用SiC涂层石墨耗材产品。德智新材将持续投入和优化研发布局，不断提高产品核心竞争力，持续提供高品质产品，为客户创造更大价值。
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组织机构
指导单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
主办单位
极智半导体产业网(www.casmita.com)
承办单位
中国电子科技集团公司第四十八研究所
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办单位
湖南三安半导体有限责任公司
浏阳泰科天润半导体技术有限公司
中车时代电气股份有限公司
中南大学
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赞助支持
湖南三安半导体有限责任公司
浏阳泰科天润半导体技术有限公司
宁波恒普真空科技股份有限公司
苏州高视半导体技术有限公司
忱芯科技（上海）有限公司
苏州博宏源机械制造有限公司
江苏晶工半导体设备有限公司
苏州德龙激光股份有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
布鲁克（北京）科技有限公司
山东海金石墨科技有限公司
湖南德智新材料有限公司
浙江凯威碳材料有限公司
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
浙江飞越机电有限公司
中电科风华信息装备股份有限公司
吉永商事株式会社
鹏城半导体技术（深圳）有限公司
北京妫水科技有限公司
昂坤视觉（北京）科技有限公司
山西中电科新能源技术有限公司
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主题方向
1、宏观趋势与产业现状
·碳化硅全球发展趋势、现状及应用前景；
·国内产业政策分析、产业需求研判；
·国产装备现状、行业发展痛点及未来展望；
·资金、人才、技术、市场等关键要素分析；
2、技术方向与产业环节
·碳化硅晶体生长、加工工艺及相关装备技术；
·外延材料生长、芯片制造等核心工艺技术及装备
·封装材料、工艺及装备技术；
·氮化镓、氧化镓等新型半导体材料、工艺和装备；
3、产业配套及供应链
·衬底、外延、器件等设计软件及检测装备；
·石墨/涂层/清洗/特气等配套材料、工艺装备协同优化；
·产品性能/良率/可靠性等要素分析与改进；
·生产流程控制、工艺优化与产业链协同创新；
4、规模应用与市场探索
·车用碳化硅/氮化镓器件技术进展；
·碳化硅功率器件技术进展及应用前景；
·产业化进展及装备需求；
·市场动力、核心竞争力塑造与面临挑战。
时间地点
2023年5月5-7日
湖南·长沙·圣爵菲斯大酒店
日程安排(具体报告陆续更新中)
开幕大会日程安排
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时间 |
主要安排 |
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5月5日 |
09:00-13:00 |
报到&资料领取 |
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13:30-17:30 |
开幕大会+圆桌对话 |
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18:00-21:00 |
欢迎晚宴 |
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5月6日 |
09:00-12:00 |
分论坛1：碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术 |
分论坛2：氮化镓、氧化镓及其他新型半导体 |
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12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分论坛1：碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术 |
分论坛2：氮化镓、氧化镓及其他新型半导体 |
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18:30-20:30 |
晚餐&结束 |
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5月7日 |
09:00-12:00 |
商务考察活动&返程 （中国电子科技集团公司第四十八研究所或泰科天润或湖南三安半导体） |
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备注：仅供参考，以现场为准。 |
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平行论坛1：
备注：目前报告顺序不分先后，最终日程将持续更新，敬请关注！
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平行论坛1：碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术 |
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时间：第二天 • 5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30 |
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主题：SiC MOS器件可靠性制造技术及装备 嘉宾：王德君--大连理工大学教授 |
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主题：国产化碳化硅注入机发展情况 嘉宾：罗才旺--北京烁科中科信电子装备有限公司副总经理 |
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主题：SiC MOSFET器件及其应用研究的思路和探索 嘉宾：王俊--湖南大学超大功率半导体研究中心主任，教授 |
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主题：碳化硅产业链布局 嘉宾：湖南三安半导体有限责任公司 |
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主题：适配xEV动力域控制器的SIC电机控制器 嘉宾：陈文杰--阳光动力电控研发中心总监 |
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主题：碳化硅器件与水冷散热器的低温直连技术探索 嘉宾：梅云辉--天津工业大学电气工程学院 院长 |
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主题：SIC晶圆全制程质量控制解决方案 嘉宾：邹伟金--苏州高视半导体技术有限公司副总经理 |
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主题：碳化硅长晶炉石墨热场结构的国产化探索 嘉宾：赵丽丽--哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长 |
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主题：碳化硅功率半导体模块精准动静态特性与可靠性测试解决方案 嘉宾：陆 熙--忱芯科技技术总监 |
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主题：碳化硅外延核心技术的产业化应用 嘉宾：孔令沂--杭州海乾半导体有限公司董事长 |
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主题：碳化硅材料及器件减薄工艺解决方案 嘉宾：刘国敬--北京中电科电子装备有限公司副总经理 |
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主题：碳化硅晶圆减薄装备技术现状及发展趋势 嘉宾：尹韶辉--湖南大学教授 |
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主题：大规模量产型碳化硅外延设备技术进展（TBD） 嘉宾：方子文--AIXTRON SE中国区副总经理 |
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主题：碳化硅在新能源汽车中的应用挑战 嘉宾：TBD |
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主题：碳化硅单晶用碳化钽技术（TBD） 嘉宾：宁波恒普真空科技股份有限公司 |
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主题：先进抛光技术助力量产型大尺寸碳化硅制造 嘉宾：孙占帅--北京特思迪半导体设备有限公司工艺部部长 |
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主题：半导体设备用SiC部件材料开发及应用 嘉宾：余盛杰--湖南德智新材料有限公司CTO |
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主题：碳化硅同质外延层厚度无损红外反射光谱法测试分析 嘉宾：雷浩东--布鲁克（北京）科技有限公司应用工程师 |
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备注：以上报告顺序不分先后，最终日程将持续更新，敬请关注！ |
备注：平行论坛日程安排正在逐一敲定中，后续每日将持续更新！
拟参会单位
山东天岳，天科合达，河北同光，山西烁科晶体，南砂晶圆，东莞天域，英飞凌，安森美， 瀚天天成，瞻芯电子，清纯半导体，蔚来汽车，中南大学，湖南大学，基本半导体，士兰微，高意半导体，中科院半导体所，中科院物理所，武汉大学，武汉理工大学，国防科技大学，AIXTRON SE, 中电科四十六所，中电科二所，中电科十三所，中电科五十五所，晶越半导体，小鹏汽车，山东大学，理想汽车，长安汽车、超芯星，中电化合物，世纪金光，浙江大学，西安交通大学，复旦大学、海乾半导体、富士电机、三菱电机.....
更多报主题安排
平行论坛报告主题安排
1.第三代半导体产业发展现状及挑战
2.第三代半导体关键装备的现状及国产化思考
3.碳化硅器件制造关键装备及国产化进展
4.SiC器件和模块的最新进展
5.第三代半导体材料外延生长装备现状及展望
6.碳化硅涂层石墨盘技术
7.8英寸碳化硅单晶进展
8.国产MBE 设备进展
9.SiC衬底制备技术现状、趋势及工艺研究
10.SiC电力电子器件制造及其典型装备需求
11.SiC功率器件制造工艺特点与核心装备研发
12.SiC MOS器件结构设计
13.激光剥离设备国产化进展
14.先进碳化坦涂层技术
15.车用碳化硅技术进展
16.银烧结设备技术
17.SiC高温热处理设备及工艺应用
18.激光退火技术
19.SiC外延装备及技术进展
20.碳化硅离子注入设备技术
21.SiC晶体生长、加工技术和装备
22.抛光装备国产化之路
23.8寸碳化硅外延制备技术
24.8寸碳化硅衬底技术进展
25.第三代半导体材料生长装备与工艺自动化
26.化合物半导体工艺设备解决方案
27.GaN器件及其系统的最新研究进展
28.Si衬底GaN基功率电子材料及器件的研究
29.GaN晶片的光电化学机械抛光加工
30.第三代半导体材料加工设备及其智能化
31.激光技术在第三代半导体领域的应用
32.碳化硅单晶生长用石墨技术
33.碳化硅/氧化镓等缺陷检测
34.碳化硅基氮化镓HEMT技术
35.金刚石半导体技术
36.碳化硅半导体功率器件测试方案
37.碳化硅基氮化镓产业化进展及装备需求
38.光隔离探头测试技术
39.电子特气在第三代半导体产业中的应用
40.金刚石单晶生长技术
41.SiC单晶制备与装备研发进展
42.半导体电子特气国产化进展
43.半导体晶圆清洗设备国产化进展
44.碳化硅IGBT 技术进展及应用前景
45.车用氮化镓器件技术进展
46.第三代半导体二手设备市场现状与存在问题
47.硅基氮化镓MOCVD设备技术进展及趋势
48.氧化镓单晶/衬底外延及功率器件技术
备注：以上部分报告主题仅供参考，报告嘉宾正陆续确认中，后续将集中公布。
注册报名：
1、注册费2500元，4月29日前注册报名2200元（含会议资料袋，5月5日欢迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企业展位预定中，请具体请咨询。
2、交通费、住宿费等自理。
展览展示
为促进产业链企业充分展示交流，组委会开辟出少量展示席位，数量有限，预订从速。详情可咨询会议联系人。
缴费方式
1、通过银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
2、线上注册缴费
备注：在线注册平台注册请务必填写正确，以便后续查询及开具发票。
3、现场缴费（接受现金和刷卡）
4、收款单位：本届论坛指定“北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司”作为会议唯一收款单位。
报告及论文发表联系：
Frank 贾：18310277858，jiaxl@casmita.com
会议报名/参展/赞助咨询：
贾先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士：13681329411，zhangww@casmita.com
张先生：18601159985，zhangtk@casmita.com
协议酒店：
会议酒店： 长沙圣爵菲斯大酒店
酒店地址：湖南省长沙市开福区三一大道471号
协议房价：
·五星酒店房间：大/ 双 床房 含双早 468元/晚
·三星酒店房间：大/双 床房 含双早 258元/晚
（备注：三星酒店单独用餐区用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具体可咨询酒店联系人）
预订联系人：李子都 圣爵菲斯大酒店营销经理
电话:14726987349
邮箱:136379346@qq.com
