IFWS 2022前瞻:超宽禁带及其他新型半导体材料与器件进展

日期:2022-10-11 来源:半导体产业网阅读:1113
核心提示:2022年11月7-10日, 一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 202

2022年11月7-10日, 一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)&第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2022)将于苏州国际博览中心召开。

国际第三代半导体论坛(IFWS)是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会,是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)是半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。两大论坛同时同地举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性,在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力,也越来越得打国内外的重视,此前美国更是宣布升级超宽禁带半导体材料等技术出口限制。由于具有载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等性能,金刚石是研制大功率、高温、高频等高性能半导体器件的理想材料,被行业誉为“终极半导体材料”。想要实现芯片级金刚石的工业化,需要克服提高金刚石纯度、制作大尺寸金刚石薄片等一系列系统性技术挑战。氧化镓在耐压、电流、功率、损耗等维度都有其优势,大功率、高效率电子器件还处于实验室阶段的研发,在大规模实际应用方面还有欠缺。中国已将氧化镓列入“十四五重点研发计划”。美国目前正从前沿军事技术布局的角度大力发展氧化镓材料。随着技术的进步,超宽禁带材料会与宽禁带半导体材料一起开拓更为广阔的应用市场。

超宽禁带半导体分会 (1)

据组委会透露,大会筹备工作正有序推进中,其中本届论坛的“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会由山东大学讲席教授陶绪堂,中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵,西安电子科技大学副校长、教授张进成,郑州大学学术副校长、教授单崇新,北京大学教授、北大东莞光电研究院院长王新强,西安交通大学教授王宏兴,南京大学教授叶建东,郑州大学教授刘玉怀,西安电子科技大学教授韩根全等也业内知名专家共同召集。分会上,将有来自英国布里斯托大学、西安电子科技大学、香港科技大学、中山大学、哈尔滨工业大学、复旦大学等国内外科研院所与代表企业的专家们将带来一大波精彩报告,分享超宽禁带半导体材料与器件领域的最新进展。

据了解,分会上,英国布里斯托大学新兴技术系主任、教授Martin KUBALL将分享超宽带隙Ga2O3技术-异质集成的好处。西安电子科技大学副校长张进成将带来氧化镓功率器件耐压和功率优值研究的主题报告。西安电子科技大学教授韩根全将带来关于氧化镓异质结功率晶体管的主题报告,中山大学佛山研究院院长,中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授王钢将分享一种用于射频谐振器的新型宽带隙压电半导体ε-Ga2O3的研究进展。哈尔滨工业大学教授朱嘉琦将分享关于金刚石功率器件、设备的研究成果。西安电子科技大学教授张金风将分享金刚石超宽带隙半导体材料与器件的研究进展。

部分嘉宾简介

陶绪堂

陶绪堂,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,山东大学讲席教授。师从蒋民华教授。致力于晶体材料研究,提倡从体块晶体到微纳米晶体,从材料、器件到产业化应用的多维度、全链条研究理念。上世纪八十年代初开始有机金属络合物非线性光学晶体材料的探索研究,发现并生长了TSCCC, MHBA及双硫氰酸盐系列晶体。提出了从具有Λ型电荷转移分子中探索非线性光学材料的思想,首次在有机高分子非线性光学材料中实现了双折射位相匹配。开辟了从有机金属络合物高分子中探索非线性光学和电致发光复合材料的新领域,并首次报道了多分支高分子电致发光材料。在国内首次生长了LiInS2系列红外晶体,生长了国际上最大的Nd:GGG晶体并获得单片超过4500瓦的平均热容激光输出。在国内率先采用导模法生长β-Ga2O3晶体,并达到实用要求。研制的微下拉单晶光纤生长设备填补了国内空白。在国际上首次开展了以BaTeMo2O9 (BTM) 为代表的一类新型光电功能单晶的合成、结构、生长、相变、晶体物理特性及光电器件应用等系统研究。首次生长了多种有机-无机复合钙钛矿晶体,提出了微距空气升华法生长微纳晶体的新方法,发现了可视化机械诱导单晶-单晶相变、 自修复单晶相变等现象。曾获教育部科学技术进步一等奖、山东省科学技术进步一等奖、日本材料学会优秀报告奖。获2015年、2016年度教育部自然科学二等奖。

龙世兵

龙世兵,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授。长期从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件领域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多种国际著名学术期刊的审稿人。主持国家自然科学基金、科技部(863、973、重大专项、重点研发计划)、中科院等资助科研项目15项。在IEEE EDL等国际学术期刊和会议上发表论文100余篇,SCI他引3000余次,H因子30,2篇第一作者IEEE EDL论文入选ESI高引论文(累计引用居前1%的论文)。获得/申请专利100余项。

单崇新

单崇新,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,郑州大学学术副校长、教授。主要从事金刚石光电材料与器件研究,发表学术论文300余篇,被引用11000余次。先后主持国家重大仪器研制项目、国家自然科学基金委-河南省联合基金重点项目等科研项目。

 

王新强

 

王新强,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,北京大学教授、北大东莞光电研究院院长。长期从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究,取得了一系列创新成果。研究成果多次被英国半导体杂志“Semiconductor Today”报道。在Nature 子刊, Adv Mater,Nano Letters, Appl. Phys. Lett.等刊物上发表论文160余篇,SCI引用2300多次。在国际学术会议邀请报告近30次,受邀在两部英文专著中撰写了二章节,申请/获得发明专利12项,担任国家重点研究计划项目负责人(首席),承担国家“863”计划重大项目等多项课题。

王宏兴

王宏兴,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,西安交通大学教授。2001年在日本德岛大学获得博士学位,其后作为高级研究员、执行董事、研发经理等职在日本Seki technotron 等公司工作。于2013年全职回国加入西安交通大学。主要研究领域为:半导体生长用MOCVD,MPCVD;III-V氮化物材料及发光器件;大尺寸单晶金刚石及电子器件;金刚石基GaN复合器件;量子光源及传感器。多项成果被采纳用于规模化生产。拥有100余项专利,发表文章120余篇。

叶建东

叶建东,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,长期从事宽禁带氧化物半导体材料、物理与器件研究,主持和完成国家重点研发计划课题、国家优秀青年基金、江苏省杰出青年基金、江苏省重点研发计划等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等学术期刊上发表130余篇,受邀综述3篇,专著1章,申请/授权发明专利15/7项。

刘玉怀

刘玉怀,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,郑州大学教授。主要研究方向为氮化物半导体材料与器件,主持国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项(基于氮化物半导体的深紫外激光器的研究)、国家自然科学基金面上项目、河南省科技攻关项目等12项。发表论文与会议报告215篇,国际会议邀请报告12次。日本专利公开1项、授权中国发明专利1项、实用新型项专利1项、软件著作权5项。紫外LED技术转移1项。目前主持第三批“智汇郑州1125创新创业领军团队”三色LED集成芯片项目,参与宁波市2025重大科技专项“深紫外LED产业化”。

韩根全

韩根全,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,2015年加入中国西安电子科技大学。主要从事后摩尔新型微电子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年创新发现不定型类铁电栅介质材料并实现非易失晶体管器件,有望颠覆德国人发现的多晶掺杂HfO2基铁电系列,推动非易失嵌入式存储器在FinFET/Nanosheet FET等先进3D晶体管中的应用。2019年通过智能剥离和转移技术(与中科院微系统所欧欣研究员合作)实现高导热衬底的Ga2O3功率器件,彻底解决Ga2O3导热问题,该成果为Compound Semiconductors网站报道,美国DARPA跟踪研究。他发表了200 多篇技术论文和 30 项已授权/正在申请的专利。他是 IEEE Electron Device Letters 的编辑。

张进成

张进成,“超宽禁带半导体材料与器件”技术分会召集人,西安电子科技大学副校长。宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件,是我国乃至国际上最早开展宽禁带(第三代)半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。获得国家技术发明二等奖2项(排名第一和第二),省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。

王钢

王钢,中山大学佛山研究院院长,中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授。主要从事宽禁带氧化物半导体薄膜材料及器件外延制备技术、电子器件三维异构集成芯片3D打印制造技术、半导体材料高端装备研发等方向的研究。

朱嘉琦

朱嘉琦,哈尔滨工业大学教授。主要从事晶体及薄膜等研究,担任中国机械工程学会表面工程分会副主任,中国材料研究学会极端材料与器件分会副主任,中国仪表材料学会副理事长, Functional Diamond、Advanced Materials & Devices副主编,获得中国青年科技奖、省青年五四奖章等荣誉,获国家技术发明奖二等奖1项,黑龙江省技术发明一等奖2项。以负责人承担国家自然科学基金6项(含重点1项)、重点研发计划项目2项、国防基础科研3项、预研计划7项、军品配套3项等科研项目。成果已应用于多种重点型号,并实现产业化。获授权发明专利82项(转让21项),在SCIENCE, ADVANCED MATERIALS等知名刊物发表200余篇学术论文,出版学术专著2部,译著1部。

张金风

张金风,西安电子科技大学教授。主要研究氮化镓(GaN) 和金刚石(C) 半导体材料和器件。出版国内第一部氮化物半导体领域专著《氮化物宽禁带半导体材料和电子器件》(科学出版社, 2013)及其英文版(CRC Press, 2017), 发表学术论文70余篇,授权国家发明专利10余项,获得教育部高等学校科学研究优秀成果奖技术发明奖一等奖和陕西省科学技术奖一等奖。研究成果包括IEEE Electron Device Letters对中国金刚石场效应管研究的首次和第二次报道(均为2017年)和Applied Physics Letters首次对中国金刚石核探测器的研究报道(2020)。

更多论坛信息:

会议时间:2022年11月7日-10日

会议地点:中国 - 苏州 - 苏州国际博览中心G馆

日程安排

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注册权益收费表

参会注册价格表

备注:*中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

*IFWS相关会议包括:开幕大会、碳化硅衬底材料生长与加工、射频电子材料与器件、碳化硅功率电子材料与器件、氮化物衬底材料生长与同质外延、超宽禁带半导体材料与器件、固态紫外材料与器件、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、闭幕大会。

*SSLCHINA相关会议包括:开幕大会、固态紫外材料与器件、半导体照明材料与封装模组、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、生物农业光照技术、半导体激光器与光通信、教育照明与健康光环境、光医疗与健康、闭幕大会。

*产业峰会包括:生物农业光照技术与产业应用峰会、生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除一定的退款手续费。

*自助餐包含:11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

论坛线上注册平台

IFWS&SSLCHINA 2022在线注册通道

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*备注:请微信扫码查看并注册,注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。

论文重要期限及提交方式
目前论坛征文已经进入全文提交阶段,论文全文提交截止:2022年10月15日,作者提交论文扩展摘要(Extended Abstract)及全文,请提交至邮箱 papersubmission@china-led.net 。
点击查看征文详情:SCI期刊+IEEE EI收录-IFWS&SSLCHINA 2022 论文全文征集中!
注:1)官方网站(http://www.sslchina.org或www.ifws.org.cn)提供模板下载,请作者务必按照相应模板和时间要求准备材料,以便顺利通过论文审核。
2) 投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,优秀文章经程序委员会初评后可推荐在Semiconductor Science and Technology (SST)上发表。IEEE是EI检索系统的合作数据库,SST是SCI期刊。 
 
联系方式
论文征集:
白老师
电话:010-82387600-602
邮箱:papersubmission@china-led.net
 
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