智新半导体已研制出基于第3代半导体碳化硅的功率模块

日期:2022-10-10 来源:半导体产业网阅读:611
核心提示:半导体产业网讯:据湖北日报,东风公司旗下智新半导体已成功研制出基于第3代半导体碳化硅的功率模块,能实现更低损耗、更高效率

半导体产业网讯:据湖北日报,东风公司旗下智新半导体已成功研制出基于第3代半导体碳化硅的功率模块,能实现更低损耗、更高效率,承受更高温度、更高电压。搭载到整车上后,能进一步提升车辆续航里程,减少整车成本。

智新半导体已投产的IGBT模块,能够满足车规级产品的高可靠性要求,比同类进口产品至少便宜10%以上。目前,智新半导体正启动IGBT模块二期项目建设方案,年产能将达到120万只,预计2024年建成,不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求,还能为其他车企供货。

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