据了解，中芯国际第一代FinFET 14nm工艺在2019年第四季度就完成了量产，而FinFET N+1工艺此前计划在2021年规模量产。N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，但从未明确具体数字节点，只是说相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％、SoC面积缩小55％，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
（来源：快科技）
日前，据“上海发布”消息，上海经信委介绍，集成电路领域14nm先进工艺规模实现量产，90nm光刻机、5nm刻蚀机、12英寸大硅片、国产CPU、5G芯片等实现突破。此外，上海全市集成电路产业规模达到2500亿元，约占全国25%，集聚重点企业超过1000家，吸引了全国40%的集成电路人才。
