中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展

半导体产业网获悉，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后，在锗锡光电器件方面取得的又一重要成果。

 

中红外光子学在生物传感、自由空间通信和气体检测等领域颇具应用前景。随着中红外应用场景不断拓展，高集成度、高可靠性、低成本和小尺寸是中红外光子学发展的趋势。硅基中红外光电集成技术利用先进成熟的CMOS工艺，将微电子和光电子集成在硅芯片上，可满足中红外光子学发展的需求。

 

锗锡是Ⅳ族硅基半导体材料，通过调节合金的组分配比，其光学带隙可延伸至中波红外，是制备硅基中红外光电子器件的理想材料。然而，硅基衬底上外延锗锡薄膜存在晶格失配和锡易分凝等难题，高质量高锡组分锗锡外延难度颇高。

 

团队成员副研究员郑军聚焦锗锡光电子材料与器件研究工作，探究高锡组分锗锡材料生长机理和器件物理，解决了高锡组分锗锡的应变驰豫和锡分凝难题，制备出3dB带宽3GHz，探测截止波长3.3微米的高速硅基锗锡探测器。