MOCVD设备厂商Veeco取得TSRI订单 加速第三代半导体技术应用

日期:2022-06-13 阅读:298
核心提示:近日,美国MOCVD设备厂商Veeco 宣布,中国台湾半导体研究所(TSRI、Narlabs)已选择Veeco的Propel? R&D Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)设备,用于以氮化镓(GaN)为基础的功率和射频器件相关的前沿开发和协作。
半导体产业网获悉,近日,美国MOCVD设备厂商Veeco 宣布,中国台湾半导体研究所(TSRI、Narlabs)已选择Veeco的Propel? R&D metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)设备,用于以氮化镓(GaN)为基础的功率和射频器件相关的前沿开发和协作。
 
据官方介绍,Veeco的Propel? GaN MOCVD系统专为功率半导体和射频应用设计,配置了一个单晶圆反应器平台,能够沉积高质量GaN膜,用于生产高效功率器件和射频器件。
 
单晶圆反应器是基于Veeco的Turbo Disc?技术,包括Iso Flange?和Symm Heat?突破性技术,能够帮助实现整个晶圆的均质层流及一致的温度曲线,它是大批量生产和300mm功能以及研发应用的理想选择。
 
Veeco 表示,Propel? R&D MOCVD设备已安装在TSRI新竹实验室,能够联合协作推动技术创新,以及GaN新兴市场开发和展示技术的能力。此次双方将共同努力和协作加速第三代半导体技术在200和300mm衬底上的大批量、低成本应用。 
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