据悉，半导体设备巨头ASML正在着手研发价值4亿美元（约合人民币26.75亿元）的新旗舰光刻机，有望2023年上半年完成原型机，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出货。
消息显示，新一代High-NA EUV光刻机机型约双层巴士大小，重量超过200吨。该设备精密度更高、所使用的零部件更多，可用于生产下一代芯片，芯片终端领域可覆盖手机、笔电、汽车、AI等。
业界猜测，这款新机应该指的就是High-NA EXE:5200（0.55NA），在今年1月中旬，Intel宣布第一个下单订购了ASML TWINSCAN EXE:5200光刻机，结合今年ASML Q1季度财报，EXE:52000已经订出去不止一台。
据了解，ASML下一代EUV 0.55NA平台有望使芯片尺寸减小1.7倍，进一步提高分辨率，并将微芯片密度提高近3倍。
另据消息显示，0.55NA光刻机比现售的0.33NA EUV光刻机大出30%，售价约是0.33NA EUV的2倍。目前，为克服技术挑战，ASML正与全球最大的微电子研发机构IMEC共同建立测试实验室。
目前，英特尔、三星、台积电等代工厂正大幅扩产，其中台积电、三星两家在先进工艺制程较量不断升级，据悉，今年他们先后宣布了将在今年量产3nm，业界推测他们所使用的设备应该就是ASML最新一代的0.33NA EUV。光刻机设备与芯片制程工艺相匹配，目前EUV光刻机暂时能满足量产3nm的需要，但是3nm以下工艺却难以胜任。这也是ASML加速研发新的光刻机的原因之一。
据近期外媒消息，台积电等公司计划在2023年开始生产2nm代。如果消息属实，ASML高端光刻机将更加火热。
