华为新型3D DRAM成果亮相集成电路国际顶会

日期:2022-05-23 来源:半导体产业网阅读:365
核心提示:据悉,华为公司将于集成电路领域顶会-VLSI Symposium 2022上,发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。
据悉,华为公司将于集成电路领域顶会-VLSI Symposium 2022上,发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。
 
报道称,华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧(IGZO)材料的CAA(Channel-All-Around)构型晶体管,具有出色的温度稳定性和可靠性。
 
根据此前报道,在去年举办的IEDM 2021上,中科院微电子所李泠研究员团队联合华为/海思团队,首次提出了新型垂直环形沟道器件结构(CAA),该结构有效减小了器件面积,且支持多层堆叠,通过将上下两个CAA器件直接相连,每个存储单元的尺寸可减小至4F2,使IGZO-DRAM拥有了密度优势,有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战。
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